公开(公告)号：CN119087332A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411126701.X

申请日：2024-08-16

Applicant: 南京工业职业技术大学

Inventor： 祝志博 ,  陈亚琳 ,  孟庆杰

IPC: G01R35/02 ,  G01R27/28

Abstract: 本发明提供了一种线性阻抗稳定网络校准方法、装置、设备、存储介质，其中基于双档案遗传算法建立线性阻抗稳定网络高频阻抗特性，克服了传统的阻抗提取方法过程复杂、精度低的缺陷，基于高频寄生参数模型和变量最优解，获取线性阻抗稳定网络高频分压因子和隔离度特性，无需阻抗分析仪且避免使用校准适配器，提高线性阻抗稳定网络校准精度与效率的同时降低了校准经济成本。

公开(公告)号：CN118259129A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410476675.7

申请日：2024-04-19

Applicant: 南京工业职业技术大学

Inventor： 祝志博 ,  孟庆杰 ,  张成元

IPC: G01R31/26 ,  G16C20/30

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET动态行为分析方法和装置、电子设备、存储介质，分析方法包括：采集碳化硅MOSFET数据手册中电压和电流的参数值；针对碳化硅MOSFET，建立漏极电流关于栅源电压和漏源电压的多项式；采用精英遗传智能优化算法提取多项式中变量的最优值，建立碳化硅MOSFET静态行为；通过描点的方式提取静态行为中转移特性和输出特性；在输出特性与转移特性的基础上，结合电气参数利用双脉冲电路获取MOSFET动态行为。本发明的技术方案能够准确表征碳化硅MOSFET动态开关行为，无需获取MOSFET内部结构且避免标准环境测试，提高了动态行为分析效率，且具有较高的经济效益。