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公开(公告)号:CN115542562A
公开(公告)日:2022-12-30
申请号:CN202211209693.6
申请日:2022-09-30
Applicant: 南京工业职业技术大学
Abstract: 本发明公开了一种利用偏置辅助光调控光子自旋霍尔效应的方法,本发明涉及应用光学和光学工程领域,本发明包括多个InP层和SiO2层交替排布组成的共振光学隧穿结构,利用偏置辅助光注入来调控InP层的光学折射率,进而调控光子自旋霍尔效应,通过该方法,可以对光子自旋霍尔效应所产生的自旋相关位移进行有效调控,为光子自旋霍尔效应提供了新的调控方法。