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公开(公告)号：CN102492987A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110440732.9
申请日：2011-12-23
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了柔性衬底上溶液法生长ZnO纳米线阵列的方法。主要通过将酸碱处理后的聚酰亚胺薄膜(PI)以浸渍提拉的方法涂覆以锌盐，胺类物质和有机溶剂为原料的ZnO溶胶。然后在较高的温度下后热处理制备了用于ZnO纳米线生长的籽晶层后用低温水热反应的方法在PI薄膜上制得ZnO纳米线阵列。发明方法所用设备简单，没使用任何专用设备，易操作，制备的ZnO纳米线阵列粗细均匀，阵列化良好，成本低，适宜于大规模生产。
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