公开(公告)号：CN117682867A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311718572.9

申请日：2023-12-14

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 杨建 ,  蒋森川 ,  方厦 ,  梁钰强 ,  潘丽梅 ,  李晓云 ,  汪洋 ,  李权

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  H01P1/22

Abstract: 本发明涉及微波衰减材料技术领域，具体涉及一种SiC/AlN复相微波衰减陶瓷、制备方法与应用，具体是以高导热、高绝缘AlN为基体，以电导率为10–5–101 S·cm−1的β‑SiC和电导率为10–10–10–9 S·cm−1的α‑SiC共同作为衰减剂，将三者混料后采用热压烧结制备的SiC/AlN复相微波衰减陶瓷。本发明通过合理调节混合粉料中β‑SiC和α‑SiC的添加比例，实现了复相陶瓷电磁参数的调控与优化，同时对材料厚度进行控制，使其在不同的频率下获得较强的微波吸收能力，表现出了强吸波且吸波频率可调特性，满足AlN基微波衰减陶瓷对不同频段电磁波的有效吸收需求。