公开(公告)号：CN119505512A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411440506.4

申请日：2024-10-15

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 徐至 ,  黄康 ,  徐柯楠

IPC: C08L71/10 ,  C01B32/198 ,  C08K9/02 ,  C08K3/04 ,  C08J5/18 ,  H01M8/18 ,  H01M8/0243 ,  H01M8/0239 ,  H01M8/0234

Abstract: 本发明公开了一种简单快速刻蚀氧化石墨烯的方法及其应用。本发明中所述为硫酸刻蚀，通过硫酸二次氧化使其暴露更多含氧基团，于二维片层表面穿透造孔，提供更多离子传输通道。本发明选择成本较低、合成工艺简单的磺化聚醚醚酮为聚合物基底，刻蚀氧化石墨烯为填料与其掺杂制备液流电池隔膜，一方面，刻蚀后的氧化石墨烯含有更多暴露的含氧基团，更利于与聚合物基底中的磺酸基团形成氢键，促进离子传输；另一方面，氧化石墨烯的二维片层对离子传输起阻碍作用，进行刻蚀可使其碎化尺寸并于表面穿透造孔，表面孔道提供了更多的传输通道，在保留氧化石墨烯具有高离子选择性特性的同时提升其离子传导能力，以此实现杂化膜的双性能提升。