一种常温下疏水性二维Ti3C2Tx-MXene薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110171831B

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN201910357771.9

    申请日:2019-04-29

    Inventor: 蔡栋宇 卞仁吉

    Abstract: 本发明公开了一种常温下疏水性二维Ti3C2Tx‑MXene薄膜的制备方法,该制备方法主要包括:首先采用选用原位氢氟酸的方法制备出Ti3C2Tx‑MXene,随后通过真空抽滤的方法制备出Ti3C2Tx‑MXene薄膜,接着将异氰酸酯改性剂溶液喷涂于Ti3C2Tx‑MXene薄膜的两面,反应结束后用丙酮清洗掉未反应的改性剂。该方法于常温下反应即可完成,适用于大规模的工业制备,能够解决因为Ti3C2Tx‑MXene片层的化学不稳定性导致材料在实际使用过程中性能急剧衰退等问题。

    一种常温下疏水性二维Ti3C2Tx-MXene薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110171831A

    公开(公告)日:2019-08-27

    申请号:CN201910357771.9

    申请日:2019-04-29

    Inventor: 蔡栋宇 卞仁吉

    Abstract: 本发明公开了一种常温下疏水性二维Ti3C2Tx-MXene薄膜的制备方法,该制备方法主要包括:首先采用选用原位氢氟酸的方法制备出Ti3C2Tx-MXene,随后通过真空抽滤的方法制备出Ti3C2Tx-MXene薄膜,接着将异氰酸酯改性剂溶液喷涂于Ti3C2Tx-MXene薄膜的两面,反应结束后用丙酮清洗掉未反应的改性剂。该方法于常温下反应即可完成,适用于大规模的工业制备,能够解决因为Ti3C2Tx-MXene片层的化学不稳定性导致材料在实际使用过程中性能急剧衰退等问题。

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