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公开(公告)号：CN115811670A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211521059.6
申请日：2022-11-30
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
Inventor： 王瑶
Abstract: 本发明公开了一种基于图像传感器的差分放大器及差分电路，其中所述差分放大器使用开环增益模式，其包括输入对管、负载和电流源，以两个像素单元的输出模块作为差分放大器的正负端输入对管，所述输入对管的一端接差分放大器的负载，其另一端接差分放大器的电流源。本发明将图像传感器自身作为差分电路的一部分，用图像传感器的输出模块替代了原本差分放大器的输入对管，直接实现了两路信号的求差运算，并且结合当前图像传感器行列选址特点，提供了多种图像传感器阵列中不同像素单元求差值的方法，大大缩小了差分电路的面积，降低了差分电路的功耗和复杂度。
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公开(公告)号：CN116647770A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310408788.9
申请日：2023-04-17
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
Inventor： 王瑶
IPC: H04N25/77 , H04N25/532
Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅的全局快门感光阵列及其控制方法，通过使用制作于上晶圆的复合介质栅双器件光敏探测单元进行感光，使用制作于下晶圆的存储单元进行存储，将一个探测单元和一个存储单元组合为一个像素，且在结束曝光时使用晶圆堆叠时制作的晶圆间通孔将探测单元得到的光电信号转移到对应的存储单元中，实现了全局快门的功能。本发明不改变复合介质栅双器件光敏探测单元的基本结构，且探测单元和存储单元均能够持续微缩至亚微米。由于快门关闭时存储的电信号位于下晶圆，不会受到寄生光信号的影响，因而本发明的PLS性能强于现有的阵列结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110045781B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201910259622.9
申请日：2019-04-02
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种利用光学结构输入的光电计算阵列，包括由多个发光单元周期排列组成的发光阵列和由多个计算单元周期排列组成的计算阵列。发光阵列发出的光经过光学结构调制后输入计算阵列；计算单元包括载流子控制区、耦合区、以及光生载流子收集区和读出区；载流子控制区用于控制并调制光生载流子收集区和读出区内的载流子；光生载流子收集区和读出区中的收集区用于吸收发光单元发射的光子并收集产生的光生载流子；载流子控制区或者光生载流子收集区和读出区中的读出区与电信号连接，读出区用于输出被光生载流子和电信号作用后的载流子；耦合区连接收集区和读出区。本发明的光电计算阵列可实现高精度的光输入。
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公开(公告)号：CN115831994A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211519517.2
申请日：2022-11-30
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
Inventor： 王瑶
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种高性能的复合介质栅光敏探测器，包括复合介质栅MOS‑C、复合介质栅MOSFET、衬底以及垂直栅结构，所述复合介质栅MOS‑C和复合介质栅MOSFET以矩阵形式设置在衬底上，所述垂直栅结构设于复合介质栅MOS‑C、复合介质栅MOSFET的中间，所述垂直栅结构包括埋氧层和栅极层，所述栅极层被所述埋氧层包裹在内，所述埋氧层与衬底接触，所述埋氧层的顶端设置开孔，且开孔内设置有与栅极层连接的加压棒，本发明的有益效果：能够快速复位，提高成像帧率；有效地抑制电学串扰。
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公开(公告)号：CN115732523A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211519048.4
申请日：2022-11-30
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
Inventor： 王瑶
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种基于复合介质栅的背照式感光阵列及其成像装置，包括半导体衬底，所述半导体衬底包含行列排布的多个像素体区、设于相邻像素体区之间的第一隔离结构和覆盖于底部的第一导电层，所述第一导电层下表面设有高介电常数层，所述半导体衬底上设有第二导电层，所述第一隔离结构在厚度方向上贯穿半导体衬底，以第一隔离结构为边界延伸以分隔相邻的像素体区，所述第二导电层中设有第二隔离结构，所述第二隔离结构在厚度方向上延伸至半导体衬底中，将第二导电层分隔为收集区和读取区。整体控制像素体区电压，节省了像素的面积，使像素之间串扰尽可能小，同时不影响对各个像素的衬底施加电压以便于进行等电位操作。
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公开(公告)号：CN109960310B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201910259566.9
申请日：2019-04-02
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光电计算单元，包括发光单元和计算单元。其中，发光单元的发光面紧贴着计算单元的输入面；计算单元包括载流子控制区、耦合区、以及光生载流子收集区和读出区；载流子控制区用于控制并调制光生载流子收集区和读出区内的载流子；光生载流子收集区和读出区中的收集区用于吸收发光单元发射的光子并收集产生的光生载流子；载流子控制区或者光生载流子收集区和读出区中的读出区与电信号连接，读出区用于输出被光生载流子和电信号作用后的载流子；耦合区连接收集区和读出区。本发明的光电计算单元可以实现高精度的光输入。
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公开(公告)号：CN219832661U
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202320839921.1
申请日：2023-04-17
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
Inventor： 王瑶
IPC: H01L27/146 , H04N25/76
Abstract: 本实用新型公开了一种基于复合介质栅的全局曝光光敏探测器，通过使用制作于上晶圆的复合介质栅双器件光敏探测单元进行感光，使用制作于下晶圆的存储单元进行存储，将一个探测单元和一个存储单元组合为一个像素，且在结束曝光时使用晶圆堆叠时制作的晶圆间通孔将探测单元得到的光电信号转移到对应的存储单元中，实现了全局快门的功能。本实用新型不改变复合介质栅双器件光敏探测单元的基本结构，且探测单元和存储单元均能够持续微缩至亚微米。由于快门关闭时存储的电信号位于下晶圆，不会受到寄生光信号的影响，因而该光敏探测器的PLS性能强于现有的探测器结构。
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