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公开(公告)号：CN103165173B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310115261.3
申请日：2013-04-03
Applicant: 南京大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明涉及一种压电力显微镜（PFM）探针实现的高密度信息存储方法的方法。采用在导电的硅基底上旋涂偏氟乙烯与三氟乙烯的共聚物溶液成膜法制得样品，运用PFM探针在极化后的薄膜表面施加力场改变其压电相位以记录信息，而且这种信息在电场极化下得以擦除。这种方法在信息存储方面有很大的应用前途，可以很方便的进行信息存储并且为在纳米尺度下实现大容量高密度的数据存储提供了可能。与现有的存储方法相比，其实现的方式更加的简单而且成本较低，使用的范围更加的广阔。
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