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公开(公告)号：CN109975999B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201910418266.0
申请日：2019-05-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基马赫‑曾德尔型电光调制器的工艺偏差分析方法。该方法包括以下步骤：(1)借助输入反射系数S11来表征和量化驱动信号在行波电极上的反射偏差特性；(2)测量硅基马赫‑曾德尔型电光调制器的调制信号特性并进行量化，调制信号特性包括传输特性、垂直方向特性和水平方向特性；(3)引入皮尔逊相关系数和偏相关系数，通过分析皮尔逊相关系数和偏相关系数的数值和变化趋势，分析驱动信号反射偏差特性和调制信号特性偏差之间的关系。本发明的方法可以在器件层面上建立工艺控制和性能分析之间的联系，并有助于发展具有较好工艺容差的器件设计。
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公开(公告)号：CN109975999A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910418266.0
申请日：2019-05-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基马赫‑曾德尔型电光调制器的工艺偏差分析方法。该方法包括以下步骤：(1)借助输入反射系数S11来表征和量化驱动信号在行波电极上的反射偏差特性；(2)测量硅基马赫‑曾德尔型电光调制器的调制信号特性并进行量化，调制信号特性包括传输特性、垂直方向特性和水平方向特性；(3)引入皮尔逊相关系数和偏相关系数，通过分析皮尔逊相关系数和偏相关系数的数值和变化趋势，分析驱动信号反射偏差特性和调制信号特性偏差之间的关系。本发明的方法可以在器件层面上建立工艺控制和性能分析之间的联系，并有助于发展具有较好工艺容差的器件设计。
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