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公开(公告)号:CN100379801C
公开(公告)日:2008-04-09
申请号:CN200510037695.1
申请日:2005-01-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种笼型多聚物制孔超低介电氧化硅薄膜及其制备方法。该薄膜由笼型多聚物与聚硅氧烷组成,其中笼型多聚物含量(重量)1-80%,聚硅氧烷含量20-99%。该方法包括以下步骤:用笼型聚合物作为致孔模板与硅氧烷在有机溶液中制备溶胶;将上述溶胶涂布于硅片上制成薄膜;将上述薄膜在惰性气体保护下退火即得。本发明采用笼型多聚物为致孔模板,利用笼型聚合物介电常数低,退火不分解,且本身的结构即为纳米微孔的特点,同时笼型聚合物的多个顶点可具有多种活性基团,从而笼型聚合物可以通过多点与交联体系连接,对提高材料的力学性能有很大帮助。
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公开(公告)号:CN1654517A
公开(公告)日:2005-08-17
申请号:CN200510037695.1
申请日:2005-01-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种笼型多聚物制孔超低介电氧化硅薄膜及其制备方法。该薄膜由笼型多聚物与聚氧化硅组成,其中笼型多聚物含量(重量)1-80%,聚硅氧烷含量20-99%。该方法包括以下步骤:用笼型聚合物作为致孔模板与硅氧烷在有机溶液中制备溶胶;将上述溶胶涂布于硅片上制成薄膜;将上述薄膜在惰性气体保护下退火即得。本发明采用笼型多聚物为致孔模板,利用笼型聚合物介电常数低,退火不分解,且本身的结构即为纳米微孔的特点,同时笼型聚合物的多个顶点可具有多种活性基团,从而笼型聚合物可以通过多点与交联体系连接,对提高材料的力学性能有很大帮助。
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