公开(公告)号：CN101325112B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200810023936.0

申请日：2008-04-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 袁岂凡 ,  万建国 ,  王广厚

IPC: H01F1/40 ,  C01G11/00 ,  C23C30/00 ,  C23C18/02

Abstract: 镍离子掺杂的氧化镉基室温稀磁半导体纳米材料及其制备方法，该纳米材料由CdO基质构成，特征是CdO基质中掺杂的镍离子的摩尔比范围在1.0％～20.0％。推荐采用的掺杂比为2.0％～15.0％，最佳掺杂比为4.0％。该镍离子掺杂的氧化镉基稀磁半导体纳米材料存在形态为纳米粉末和纳米薄膜。所述的镍离子掺杂的氧化镉基稀磁半导体纳米材料中掺杂的镍离子取代基体CdO中Cd2+的晶格位置，从而形成替位掺杂。本发明还提供了该磁半导体纳米材料的制备方法。本发明的稀磁半导体纳米材料结晶良好，掺杂的镍离子取代了CdO晶格中的Cd2+的位置，从而形成了替位掺杂。所制备的稀磁半导体纳米材料具有室温铁磁性。

公开(公告)号：CN101325112A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810023936.0

申请日：2008-04-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 袁岂凡 ,  万建国 ,  王广厚

IPC: H01F1/40 ,  C01G11/00 ,  C23C30/00 ,  C23C18/02

Abstract: 镍离子掺杂的氧化镉基室温稀磁半导体纳米材料及其制备方法，该纳米材料由CdO基质构成，特征是CdO基质中掺杂的镍离子的摩尔比范围在1.0％～20.0％。推荐采用的掺杂比为2.0％～15.0％，最佳掺杂比为4.0％。该镍离子掺杂的氧化镉基稀磁半导体纳米材料存在形态为纳米粉末和纳米薄膜。所述的镍离子掺杂的氧化镉基稀磁半导体纳米材料中掺杂的镍离子取代基体CdO中Cd2+的晶格位置，从而形成替位掺杂。本发明还提供了该磁半导体纳米材料的制备方法。本发明的稀磁半导体纳米材料结晶良好，掺杂的镍离子取代了CdO晶格中的Cd2+的位置，从而形成了替位掺杂。所制备的稀磁半导体纳米材料具有室温铁磁性。