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公开(公告)号：CN111123422A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010013345.6
申请日：2020-01-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型太赫兹动态可调光栅，包括SiO2基片，生长在所述SiO2基片上的VO2线栅结构。本发明还公开了上述太赫兹动态可调光栅的制备方法和调制方法。本发明结构简单，使用过渡金属氧化物二氧化钒(VO2)薄膜，并加工成线栅结构，利用VO2绝缘体-金属相变特性，实现了太赫兹反射镜到光栅的功能切换。器件调制简单快捷，工作频带宽。
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