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公开(公告)号：CN101202320A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710135014.4
申请日：2007-11-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 基于平面结构的Ⅲ族氮化物半导体发光二极管，在衬底材料上分别设有氮化物半导体缓冲层、氮化物半导体有源层、氮化物半导体接触层，两连线电极被制备在氮化物半导体有源层同一侧的接触层上；该缓冲层的材质是氮化铝镓铟，单层或者变组分的多层结构；总厚度介于0.01－100μm之间；可以在生长中采取非有意掺杂、N型掺杂、或P型掺杂；所述有源发光层的材质是氮化铝镓铟，单层或者变组分的多层结构；总厚度介于0.001－10μm之间；所述接触层的材质是氮化铝镓铟，单层或者变组分的多层结构；总厚度介于0.001－10μm之间；所述电极是肖特基接触或者欧姆接触电极。
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公开(公告)号：CN101339142A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810196208.X
申请日：2008-08-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种利用线性偏振光来检验半导体衬底晶体质量的方法，将两线偏振片按偏振方向互相垂直方式放置，处于完全消光状态。两偏振片中间放置需要表征缺陷的表面平整的片状晶体材料，晶体材料平面与两偏振片平面平行；用一光源产生强度均匀的光，垂直照射在一线偏振片上，产生线偏振光，该线偏振光再照射到晶体材料上，其透射光经过第二片偏振片，最后被光学成像系统接收并显示，光学成像系统显示的图像中局部的具有亮度反差或条纹区域与晶体材料中的缺陷相对应。本方法较之传统缺陷表征方法能十分便捷地对整片晶体材料的缺陷分布情况给出直观表征，有利于加快研究速度和提高器件制备的成品率。
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公开(公告)号：CN100502071C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710135014.4
申请日：2007-11-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 基于平面结构的III族氮化物半导体发光二极管，在衬底材料上分别设有氮化物半导体缓冲层、氮化物半导体有源层、氮化物半导体接触层，两连线电极被制备在氮化物半导体有源层同一侧的接触层上；该缓冲层的材质是氮化铝镓铟，单层或者变组分的多层结构；总厚度介于0.01-100μm之间；可以在生长中采取非有意掺杂、N型掺杂、或P型掺杂；所述有源发光层的材质是氮化铝镓铟，单层或者变组分的多层结构；总厚度介于0.001-10μm之间：所述接触层的材质是氮化铝镓铟，单层或者变组分的多层结构；总厚度介于0.001-10μm之间；所述电极是肖特基接触或者欧姆接触电极。
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