公开(公告)号：CN112175612B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202010636000.6

申请日：2020-07-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  张阳熠 ,  王理想 ,  陈佳明 ,  侯国智 ,  李东珂 ,  陈坤基

IPC: C09K11/66

Abstract: 一种碱土金属离子掺杂提高红外光发射的硅基SnO2:Er3+复合薄膜及制备方法，所述的碱土金属离子包括镁Mg2+、钙Ca2+、锶Sr2+和钡Ba2+；硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜，其结构为SnO2:Er3+纳米晶镶嵌的非晶SiO2薄膜；相对于Si元素Sn4+的掺杂浓度范围为5‑50mol％，Er3+离子的浓度为3‑10mol％，碱土金属掺杂浓度为0.01‑25mol％。通过碱土金属离子掺杂提高硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜红外光发射的强度。采用碱土金属氯酸盐作为掺杂剂，通过匀胶技术结合后退火处理制备碱土金属离子掺杂硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜。

公开(公告)号：CN113206181A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110489814.6

申请日：2021-05-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  陈佳明 ,  李东珂 ,  季阳 ,  张阳熠 ,  孙腾 ,  王理想

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/06 ,  H01L33/34 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明属于半导体光电器件领域，公开了一种径向结硅量子点电致发光器件，包括刻蚀有硅纳米线阵列的硅衬底样品，所述样品表面沉积有Al2O3钝化层，所述Al2O3钝化层表面设有硅量子点/二氧化硅多层膜，所述硅量子点/二氧化硅多层膜表面沉积有TiO2层，所述TiO2层表面溅射有Au层，所述Au层上镀有ITO电极，所述硅衬底样品的背面蒸镀有铝电极。与现有技术相比，本发明通过改善电极接触和能带调控，可以显著提高器件注入电流，增强其电致发光强度。

公开(公告)号：CN112175612A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010636000.6

申请日：2020-07-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  张阳熠 ,  王理想 ,  陈佳明 ,  侯国智 ,  李东珂 ,  陈坤基

IPC: C09K11/66

Abstract: 一种碱土金属离子掺杂提高红外Er光3+发复射合的薄硅膜基及Sn制O备2:方法，所述的碱土金属离子包括镁Mg2+、钙Ca2+、锶Sr2+和钡Ba2+；硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜，其结构为SnO2:Er3+纳米晶镶嵌的于S非i元晶素SiSOn24薄+的膜掺；杂相浓对度范围为5‑50mol％，Er3+离子的浓度为3‑10mol％，碱土金属掺杂浓度为0.01‑25mol％。通过碱土金属离子掺杂提高硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜红外光发射的强度。采用碱土金属氯酸盐作为掺杂剂，通过匀胶技术结合后退火处理制备碱土金属离子掺杂硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜。