公开(公告)号：CN109037291A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810863787.2

申请日：2018-08-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  王丹蓓 ,  赵红 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  修向前 ,  陈敦军 ,  周玉刚 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L27/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明公开了一种基于III‑氮化物/有机半导体混合杂化结构的全色型Micro‑LED阵列显示及白光器件，其混合了无机与有机发光二极管器件来获得高效率、超高分辨率且主动式的Micro‑LED显示和照明光源。在具有p‑n结构的InxGa1‑xN/氮化镓量子阱蓝光LED外延片的N型氮化镓层上分别蒸镀红光、绿光或者黄光有机材料，依次包括电子传输层、发光层、激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层；在蒸镀其中一组材料时，利用遮挡掩膜将其他像素遮蔽。此技术结合了有机半导体材料和无机半导体材料，能够实现高效率、宽色域、功耗低、响应时间快的新型无机/有机半导体混合结构Micro‑LED器件阵列。

公开(公告)号：CN109037291B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201810863787.2

申请日：2018-08-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  王丹蓓 ,  赵红 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  修向前 ,  陈敦军 ,  周玉刚 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L27/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明公开了一种基于III‑氮化物/有机半导体混合杂化结构的全色型Micro‑LED阵列显示及白光器件，其混合了无机与有机发光二极管器件来获得高效率、超高分辨率且主动式的Micro‑LED显示和照明光源。在具有p‑n结构的InxGa1‑xN/氮化镓量子阱蓝光LED外延片的N型氮化镓层上分别蒸镀红光、绿光或者黄光有机材料，依次包括电子传输层、发光层、激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层；在蒸镀其中一组材料时，利用遮挡掩膜将其他像素遮蔽。此技术结合了有机半导体材料和无机半导体材料，能够实现高效率、宽色域、功耗低、响应时间快的新型无机/有机半导体混合结构Micro‑LED器件阵列。