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公开(公告)号：CN106649200A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611222110.8
申请日：2016-12-27
Applicant: 南京大学
CPC classification number: G06F17/142 , G06F7/575 , G06F17/5068
Abstract: 本发明的一种基于时分复用的自相关运算VLSI设计方法，包括如下步骤：（1）通过FFT模块将源数据补零后做2的幂次方傅立叶变换，并输出一次中间结果；（2）将所述中间结果进行共轭点乘，并将二次中间结果存回原地址；（3）最后通过逆FFT模块，对所述二次中间结果做逆傅立叶变换，得到自相关结果。有益效果：通过增减存储资源和计算资源，满足不同点数自相关运算的性能需求。
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公开(公告)号：CN102351429A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110186972.0
申请日：2011-07-06
Applicant: 南京大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 宽禁带纳米硫化镉薄膜的制备方法，包括如下步骤：作为衬底的ITO玻璃要在有机溶剂浸泡超声清洗并干燥后放入反应容器中，在反应溶液中加入氧化性添加剂：在配制反应溶液阶段，在容器中加入镉盐及其同酸根的铵盐，再加入去离子水，加热温度到40-70℃温度时，加入适量弱碱水溶液（氨溶液）用于生成镉的络合物，形成第一步的反应溶液；在加入弱碱溶液的同时加入氧化性添加剂，氧化剂是有机过氧化物（ROOH）、有机过氧酸(RCOOOH)、2%~30%双氧水，加的量为镉盐摩尔数的1％至10％；此时再加入硫脲，此种宽禁带纳米硫化镉薄膜的透光性和能隙均有明显提高，可以更有利于制作碲化镉电池或者铜铟镓硒电池的窗口材料。
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公开(公告)号：CN106649200B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201611222110.8
申请日：2016-12-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明的一种基于时分复用的自相关运算VLSI设计方法，包括如下步骤：（1）通过FFT模块将源数据补零后做2的幂次方傅立叶变换，并输出一次中间结果；（2）将所述中间结果进行共轭点乘，并将二次中间结果存回原地址；（3）最后通过逆FFT模块，对所述二次中间结果做逆傅立叶变换，得到自相关结果。有益效果：通过增减存储资源和计算资源，满足不同点数自相关运算的性能需求。
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公开(公告)号：CN102351429B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201110186972.0
申请日：2011-07-06
Applicant: 南京大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 宽禁带纳米硫化镉薄膜的制备方法，包括如下步骤：作为衬底的ITO玻璃要在有机溶剂浸泡超声清洗并干燥后放入反应容器中，在反应溶液中加入氧化性添加剂：在配制反应溶液阶段，在容器中加入镉盐及其同酸根的铵盐，再加入去离子水，加热温度到40-70℃温度时，加入适量弱碱水溶液（氨溶液）用于生成镉的络合物，形成第一步的反应溶液；在加入弱碱溶液的同时加入氧化性添加剂，氧化剂是有机过氧化物（ROOH）、有机过氧酸(RCOOOH)、2%~30%双氧水，加的量为镉盐摩尔数的１％至１０％；此时再加入硫脲，此种宽禁带纳米硫化镉薄膜的透光性和能隙均有明显提高，可以更有利于制作碲化镉电池或者铜铟镓硒电池的窗口材料。
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