公开(公告)号：CN106681786A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201710005782.1

申请日：2017-01-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 翟娟 ,  赵建华 ,  汤震浩 ,  李彬 ,  李宣东

IPC: G06F9/45

CPC classification number: G06F8/42 ,  G06F8/436

Abstract: 本发明的自动合成常用循环的摘要并生成程序规约的方法，包括步骤：1.生成待验证程序的抽象语法树；2.分析步骤1生成的抽象语法树来生成程序语句的摘要；3.对步骤2中生成的摘要进行分析生成程序语句的规约；4.对步骤3中生成的规约进行验证，从而辅助证明待验证程序的性质。本发明通过将操作常用数据结构的循环语句转换为一系列抽象的赋值语句，有效地对这类循环语句进行了抽象，使得可以使用赋值语句的分析方法来分析循环语句。本发明根据语句的摘要所生成的程序规约有效地描述了程序的性质，尤其是程序执行前后程序状态之间的关系，这些规约高效地辅助了程序的验证过程，提高程序验证的自动化程度和效率，减轻验证人员的负担。

公开(公告)号：CN117577521A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311467203.7

申请日：2023-11-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  李彬 ,  张荣

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种激光切割或剥离后的碳化硅或氮化镓表面处理的方法，通过喷嘴将干冰颗粒或冰粒以高速的射速喷射到碳化硅或氮化镓激光切割或剥离表面。本发明通过干冰或者冰粒或者干冰‑二氧化硅小球混合物以高速的射速冷喷到碳化硅或氮化镓激光切割或剥离表面，可以快速、无污染、无损伤的去除表面颗粒和凸起物等。可以原位去除大部分激光剥离界面的颗粒、降低粗糙度实现界面平坦化，该方法具有快速、无污染、无新增表面损伤等优点，降低了后续研磨抛光的难度。

公开(公告)号：CN117558616A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311457281.9

申请日：2023-11-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  李彬 ,  张荣

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  B23K26/53

Abstract: 本发明公开了一种基于应力层的半导体单晶材料激光剥离方法，其步骤包括：(1)在半导体单晶材料的表面，通过掩膜板形成图形化的应力层；(2)将激光聚焦在半导体单晶材料内部一定的深度，利用焦点处的热效应将材料分解，形成改质层，并产生微裂纹；(3)在半导体单晶材料表面涂敷热释胶或聚酰亚胺胶带，施加机械外力，即可剥离获得半导体单晶薄膜。本发明的工艺和工序简单，耗时短，与传统线切割或常用剥离等工艺相比可以减少材料损耗、节省大量的时间和成本。