基于表面电磁波共振的高性能CMOS红外微测辐射热计

    公开(公告)号:CN109282903B

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN201710596908.7

    申请日:2017-07-20

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于表面电磁波共振的高性能CMOS红外微测辐射热计。该微测辐射热计包括L形微桥结构,微桥结构单元包括桥墩、桥臂和红外吸收体,红外吸收体为多层结构,自上而下依次为氮化硅层、金属光栅层、二氧化硅层、蛇形铝热敏电阻层和二氧化硅层。本发明的微测辐射热计结构与传统的微测辐射热计结构相比,在热敏电阻层上面增加了金属光栅,形成MIM结构,该结构利用表面电磁波激发共振,显著提高了探测器的红外吸收率,增加了探测器响应,实现高效率探测。同时本发明的微测辐射热计基于标准CMOS集成电路工艺,具有工艺上容易实现、价格低廉等优点。

    基于表面电磁波共振的高性能CMOS 红外微测辐射热计

    公开(公告)号:CN109282903A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201710596908.7

    申请日:2017-07-20

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于表面电磁波共振的高性能CMOS红外微测辐射热计。该微测辐射热计包括L形微桥结构,微桥结构单元包括桥墩、桥臂和红外吸收体,红外吸收体为多层结构,自上而下依次为氮化硅层、金属光栅层、二氧化硅层、蛇形铝热敏电阻层和二氧化硅层。本发明的微测辐射热计结构与传统的微测辐射热计结构相比,在热敏电阻层上面增加了金属光栅,形成MIM结构,该结构利用表面电磁波激发共振,显著提高了探测器的红外吸收率,增加了探测器响应,实现高效率探测。同时本发明的微测辐射热计基于标准CMOS集成电路工艺,具有工艺上容易实现、价格低廉等优点。

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