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公开(公告)号：CN119730378A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411632516.8
申请日：2024-11-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体面内集成方法及器件，该方法包括：提供第一二维单层材料，并将其置于目标基底上；将第二二维单层材料部分堆叠在第一二维单层材料上，形成包括堆叠区域和单层区域的范德华异质结；利用光子能量大于第一二维单层材料和/或第二二维单层材料的发光带隙的激发光源，使范德华异质结进行选区光化学反应，使得堆叠区域的第二二维单层材料被选择性反应移除，以在同一平面内集成拼接第一二维单层材料和第二二维单层材料。本发明提供的二维半导体面内集成方法及器件，通过利用不同二维材料在堆叠区域和单层区域的电子态分布差异，结合光化学反应选择性移除堆叠区域的上层材料，实现了二维材料的面内拼接。
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