532nm半高斯激光束发生器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102097741A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201110005840.3

    申请日:2011-01-12

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 532nm半高斯激光束发生器,包括泵浦光源、准直系统、柱透镜、一片侧向调制的周期性极化的光学超晶格、控温炉、对1064nm激光的滤波系统;周期性极化的光学超晶格材料为LiTaO3,周期为7.505μm,用以实现1064nm激光频率转换为532nm激光,所述超晶格的极化畴边缘在晶体的通光方向分布为e指数型;泵浦光源发出的1064nm的高斯激光入射到准直系统、经柱透镜聚焦到光学超晶格中,并且超晶格的畴边缘通过入射的泵浦光源的高斯激光束的中心;在超晶格出射光路上用1064nm激光的高反镜以及干涉滤波片构建的滤波系统滤掉出射光束中的1064nm泵浦光,得到532nm半高斯激光。其结构紧凑,体积小。

    532nm半高斯激光束发生器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102097741B

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:CN201110005840.3

    申请日:2011-01-12

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 532nm半高斯激光束发生器,包括泵浦光源、准直系统、柱透镜、一片侧向调制的周期性极化的光学超晶格、控温炉、对1064nm激光的滤波系统;周期性极化的光学超晶格材料为LiTaO3,周期为7.505μm,用以实现1064nm激光频率转换为532nm激光,所述超晶格的极化畴边缘在晶体的通光方向分布为e指数型;泵浦光源发出的1064nm的高斯激光入射到准直系统、经柱透镜聚焦到光学超晶格中,并且超晶格的畴边缘通过入射的泵浦光源的高斯激光束的中心;在超晶格出射光路上用1064nm激光的高反镜以及干涉滤波片构建的滤波系统滤掉出射光束中的1064nm泵浦光,得到532nm半高斯激光。其结构紧凑,体积小。

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