公开(公告)号：CN101570312A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910033256.1

申请日：2009-06-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  宋超 ,  陈谷然 ,  黄信凡 ,  李伟 ,  陈坤基 ,  马忠元 ,  徐岭

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种实现纳米硅量子点可控掺杂的方法，属于纳米光电子器件技术领域。该方法包括制备掺杂非晶硅薄膜、制备掺杂非晶硅多层膜、以及借助激光照射制备掺杂纳米硅量子点等步骤。本发明提供了一种便捷有效的纳米硅量子点的可控掺杂制备方法，其处理时间短，在纳秒量级，不会对薄膜和衬底造成损伤，且与当前的微电子工艺技术相兼容。在实施过程中，主要采用高能量激光辐照薄膜表面，获得尺寸均匀的纳米硅量子点，并同时实现杂质浓度的可控掺杂，改善薄膜的光电学性质。基于该方法制备的掺杂纳米硅量子点在未来纳米电子和纳米光电子器件等领域中将具有广阔应用前景。

公开(公告)号：CN101570312B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910033256.1

申请日：2009-06-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  宋超 ,  陈谷然 ,  黄信凡 ,  李伟 ,  陈坤基 ,  马忠元 ,  徐岭

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种实现纳米硅量子点可控掺杂的方法，属于纳米光电子器件技术领域。该方法包括制备掺杂非晶硅薄膜、制备掺杂非晶硅多层膜、以及借助激光照射制备掺杂纳米硅量子点等步骤。本发明提供一种了便捷有效的纳米硅量子点的可控掺杂制备方法，其处理时间短，在纳秒量级，不会对薄膜和衬底造成损伤，且与当前的微电子工艺技术相兼容。在实施过程中，主要采用高能量激光辐照薄膜表面，获得尺寸均匀的纳米硅量子点，并同时实现杂质浓度的可控掺杂，改善薄膜的光电学性质。基于该方法制备的掺杂纳米硅量子点在未来纳米电子和纳米光电子器件等领域中将具有广阔应用前景。