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发明公开
单原子Ni耦合具有丰富氧空位的SnO2纳米棒的制备方法及应用审中-实审

公开(公告)号：CN112875745A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110036682.1

申请日：2021-03-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 付翯云 , 刘翎玥 , 郑寿荣 , 孙玉涵 , 邓冬芝

IPC: C01G19/02 , G01N27/12 , G01N31/10

Abstract: 本发明公开了一种单原子Ni耦合具有丰富氧空位的SnO2(Ni SA/ROV‑SnO2)纳米棒的制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：首先，通过溶剂热法合成SnO2纳米棒，然后由浸渍法引入Ni源，通过H2/N2氛围煅烧，得到NiSA/ROV‑SnO2纳米棒。本发明的制备方法简单，反应条件温和，制备的NiSA/ROV‑SnO2纳米棒尺寸可控，将所制备的单原子Ni耦合具有丰富氧空位的SnO2(Ni SA/ROV‑SnO2)纳米棒应用于制备气敏元件，对SO2气体表现出了选择性好，灵敏度高，检测限低的优点。

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