公开(公告)号：CN119725049A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411817490.4

申请日：2024-12-11

Applicant: 南京大学 ,  合肥国家实验室

Inventor： 王科 ,  柳裕 ,  邵鹏飞 ,  刘达伟 ,  姚齐 ,  陆海 ,  张荣

IPC: H01J1/34

Abstract: 本发明公开了一种分层掺杂的GaN光电阴极，其结构最底层为衬底，其上依次生长有缓冲层、GaN光吸收层、GaN电子迁移层，在GaN电子迁移层上吸附有Cs/O激活层，所述GaN光吸收层为非故意掺杂或p型掺杂，所述GaN电子迁移层为p型掺杂，且掺杂浓度高于GaN光吸收层。通过协同控制p‑GaN掺杂浓度与厚度，本发明提出的分层掺杂GaN光电阴极结构，有效避免了传统结构GaN光电阴极材料高晶体质量和高浓度p型掺杂在外延生长中难以兼容问题，在光电子产生、迁移、发射三个方面均有改善，实现提高光阴极量子效率的效果。

公开(公告)号：CN119602083A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411521076.9

申请日：2024-10-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 王科 ,  姚齐 ,  曾繁泰 ,  成毅凡 ,  曹雷 ,  张荣

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种单金属波导GaN基太赫兹量子级联激光器，其特征在于其结构最底层为衬底，其上依次设置有n型高掺杂的n++层、QCL有源区、n型掺杂层，在n型高掺杂的n++层上设有阴极电极层，在n型掺杂层上设有阳极电极层，其中所述衬底为GaN衬底、AlN衬底或SiC衬底。还公开了其制备方法。本发明基于对THz频率下GaN的折射率相关参数系统研究的基础上，分析了单金属波导结构参数对QCL光场限制因子和自由载流子吸收，设计了不同衬底的高光场限制因子低损耗的QCL。此外，本发明设计的有源区结构，在10K时增益高达88/cm，在280K时高达34/cm，且对应的波长为6.6THz，实现了传统GaAs体系无法做到的频率。