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公开(公告)号：CN106769889A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710004428.7
申请日：2017-01-04
申请人： 南京大学
摘要： 集成生长与测量的分子束外延生长系统，包括分子束外延生长腔室、样品操纵杆、可倾斜的样品台、入射光、反射光、一对电磁铁、偏振片、检偏器、激光二极管、光电探测器、分子束外延的生长源；分子束外延生长腔室上设有一对视窗，这对视窗是分子束外延生长系统上激光入射光和出射光的高透明、对光低散射的视窗；原位磁光表征系统安装在分子束外延生长系统的腔室上；原位磁光表征系统包含产生S型线偏振光的激光二极管、调节线偏振光的起偏偏振片；所述起偏偏振片产生激光入射光射至样品表面，所述检偏器对出射光检偏；原位磁光表征系统包含光电探测器，探测器将出射光的信号输入到锁相放大器；样品台侧设有电磁铁。样品操纵杆与可倾斜的样品台固定。
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公开(公告)号：CN107091999B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710165123.4
申请日：2017-03-20
申请人： 南京大学
IPC分类号： G01R33/12
摘要： 利用飞秒脉冲激光调控MRAM材料的本征阻尼因子,飞秒脉冲激光在样品局域位置改变功率相当于进行局部高温退火处理，通过功率增加使得本征阻尼因子达到室温8倍左右。CoFeB/MgO结构一直以来是用于制作磁隧道结的重要材料体系，并且在磁性随机存储器应用中有着十分重要的地位。本发明利用脉冲激光的局域的瞬时高温加热来改变样品的局部特征，从而改变材料本身的阻尼因子。由于光斑大小在显微物镜或者普通透镜的调节下在一纳米至几个毫米之间变化，不仅适合在极小单元‑纳米尺度下改变磁性材料的阻尼大小，在宏观尺度下调控磁性材料的阻尼因子。本发明中涉及到的样品依次包括基片，探测磁性层和覆盖层。脉冲激光重复频率为1000Hz，脉冲宽度为50fs，功率密度调节范围大。
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公开(公告)号：CN107091999A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710165123.4
申请日：2017-03-20
申请人： 南京大学
IPC分类号： G01R33/12
CPC分类号： G01R33/1207
摘要： 利用飞秒脉冲激光调控MRAM材料的本征阻尼因子,飞秒脉冲激光在样品局域位置改变功率相当于进行局部高温退火处理，通过功率增加使得本征阻尼因子达到室温8倍左右。CoFeB/MgO结构一直以来是用于制作磁隧道结的重要材料体系，并且在磁性随机存储器应用中有着十分重要的地位。本发明利用脉冲激光的局域的瞬时高温加热来改变样品的局部特征，从而改变材料本身的阻尼因子。由于光斑大小在显微物镜或者普通透镜的调节下在一纳米至几个毫米之间变化，不仅适合在极小单元‑纳米尺度下改变磁性材料的阻尼大小，在宏观尺度下调控磁性材料的阻尼因子。本发明中涉及到的样品依次包括基片，探测磁性层和覆盖层。脉冲激光重复频率为1000Hz，脉冲宽度为50fs，功率密度调节范围大。
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公开(公告)号：CN105891744A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610205612.3
申请日：2016-03-31
申请人： 南京大学
摘要： 一种空间分辨磁光克尔效应测量装置，包括光路系统、三维压电样品台和电流源控制单元，该系统不仅可以在变化磁场下对单点快速进行极向或纵向克尔信号扫描测量，还可以在固定磁场下以矩阵扫描的方式对区域内各点进行克尔信号测量，可实现对区域静态磁畴、动态磁畴的精确测量的一种空间分辨磁光克尔效应测量装置，同时在固定磁场下，可实现对整个待测区域的磁畴结构的观测。
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公开(公告)号：CN206573468U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720005827.0
申请日：2017-01-04
申请人： 南京大学
摘要： 集成生长与测量的分子束外延生长系统，包括分子束外延生长腔室、样品操纵杆、可倾斜的样品台、入射光、反射光、一对电磁铁、偏振片、检偏器、激光二极管、光电探测器、分子束外延的生长源；分子束外延生长腔室上设有一对视窗，这对视窗是分子束外延生长系统上激光入射光和出射光的高透明、对光低散射的视窗；原位磁光表征系统安装在分子束外延生长系统的腔室上；原位磁光表征系统包含产生S型线偏振光的激光二极管、调节线偏振光的起偏偏振片；所述起偏偏振片产生激光入射光射至样品表面，所述检偏器对出射光检偏；原位磁光表征系统包含光电探测器，探测器将出射光的信号输入到锁相放大器；样品台侧设有电磁铁。样品操纵杆与可倾斜的样品台固定。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206697746U
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201720004631.X
申请日：2017-01-04
申请人： 南京大学
摘要： 一种飞秒级超快时间分辨光电能谱系统，包括超短脉冲激光系统，极紫外超短脉冲生成系统，光学参量转换系统以及光电能谱系统；超短脉冲激光系统的激光输出通过分束片一分为二，其中一束通过光学参量转换系统输出可见-红外超短脉冲激光作为泵浦光，另一束通过极紫外超短脉冲生成系统输出高光子能量的激光作为探测光；泵浦光和探测光共同进入光电能谱系统，通过泵浦-探测合束器入射至光电能谱系统中的样品表面，被激发的光生电子进入光电能谱系统的光电子能谱仪；极紫外超短脉冲激光生成系统，光电能谱系统均位于真空系统。
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