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公开(公告)号：CN109166788A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810992194.6
申请日：2018-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法。该方法具体步骤包括：步骤1，获取(100)晶面的硅衬底或者(111)晶面的硅衬底；步骤2，将硅衬底用氢氟酸处理后，在真空环境中进行表面处理；步骤3，通过分子束外延的方法，在处理后的硅衬底之上生长一层硅缓冲层；步骤4，调至合适的生长温度，然后在硅缓冲层上直接外延生长微米级别厚度的锗虚拟衬底。本发明的方法可以在硅片上直接外延锗虚拟衬底，其生长的锗虚拟衬底表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，可以代替锗衬底用于后续材料的生长。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式，制备工艺更简单，可以降低成本。
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公开(公告)号：CN107316802B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201710495403.1
申请日：2017-06-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法，具体步骤包括：(1)提供(100)晶面的硅衬底；(2)在1350℃的高温下对硅衬底进行去氧化处理，去氧化时间为10分钟；(3)通过分子束外延的方法，在去氧化后的硅衬底之上生长一层20‑50nm厚的硅缓冲层，生长温度为700℃；(4)将硅缓冲层降温到生长温度，该生长温度在300℃以下，然后生长GexSi1‑x合金，通过改变Ge和Si的生长速率调节Ge的含量，也就是x值。本发明可以在硅片上直接低温生长晶格常数可调的高质量锗硅(GexSi1‑x)薄膜材料，锗含量最高可达83％。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式，其操作更简单，成本更低。
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公开(公告)号：CN109166788B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201810992194.6
申请日：2018-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法。该方法具体步骤包括：步骤1，获取(100)晶面的硅衬底或者(111)晶面的硅衬底；步骤2，将硅衬底用氢氟酸处理后，在真空环境中进行表面处理；步骤3，通过分子束外延的方法，在处理后的硅衬底之上生长一层硅缓冲层；步骤4，调至合适的生长温度，然后在硅缓冲层上直接外延生长微米级别厚度的锗虚拟衬底。本发明的方法可以在硅片上直接外延锗虚拟衬底，其生长的锗虚拟衬底表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，可以代替锗衬底用于后续材料的生长。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式，制备工艺更简单，可以降低成本。
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公开(公告)号：CN107316802A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710495403.1
申请日：2017-06-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法，具体步骤包括：(1)提供(100)晶面的硅衬底；(2)在1350℃的高温下对硅衬底进行去氧化处理，去氧化时间为10分钟；(3)通过分子束外延的方法，在去氧化后的硅衬底之上生长一层20-50nm厚的硅缓冲层，生长温度为700℃；(4)将硅缓冲层降温到生长温度，该生长温度在300℃以下，然后生长GexSi1-x合金，通过改变Ge和Si的生长速率调节Ge的含量，也就是x值。本发明可以在硅片上直接低温生长晶格常数可调的高质量锗硅(GexSi1-x)薄膜材料，锗含量最高可达83％。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式，其操作更简单，成本更低。
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