一种单光子雪崩二极管器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119317203A

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202411452563.4

    申请日:2024-10-17

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 一种单光子雪崩二极管器件,包括N型扩散层、P型扩散层,P型外延层、P型衬底、环形P阱区域、深槽隔离区域DTI环、雪崩放大区,所述的深槽隔离区域DTI环底部设置P型衬底,深槽隔离区域DTI环与P型衬底之间的区域设置P型外延层,P型外延层顶部设置P型扩散层,P型扩散层的顶部设置N型扩散层,P型扩散层与N型扩散层的连接处设置雪崩放大区。本发明结构中的环形P阱区域不用连接到最底部的衬底上,极大降低了工艺难度;本发明第一P端与N端之间直接形成贯穿型反应结结构,耗尽区扩大,可提高器件探测效率;本发明第一P端、第二P端之间可通过电压调控实现光电导,为反应结收集更多的光电子,可进一步提高器件探测效率。

    一种调控金属离子形态分离镍钴的方法

    公开(公告)号:CN116987906A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202311006400.9

    申请日:2023-08-10

    Abstract: 本发明公开了一种调控金属离子形态分离镍钴的方法,属于水污染控制与资源化技术领域。本发明通过向镍钴混合溶液中加入盐酸,调控混合溶液中镍、钴金属离子形态,利用阴离子吸附剂实现镍钴的选择性分离,待吸附饱和后,用水接触阴离子吸附剂,实现钴离子的高效脱附。本发明不仅可以实现镍、钴的选择性吸附,而且可以实现无化学试剂脱附,对于水污染控制与镍、钴资源化具有重要意义。

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