公开(公告)号：CN109581912A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811384292.8

申请日：2018-11-20

申请人： 南京华士电子科技有限公司

发明人： 陈方良 ,  张晨 ,  陈爱林 ,  孙灼章 ,  黄海健 ,  周香梅 ,  马步春 ,  李峰 ,  王超 ,  钟嵘

IPC分类号： G05B19/042

摘要： 本发明公开了一种冗余无触点控制开关、控制开关的应用及其控制方法，所述开关包括CPU、若干MOSFET开关管，其中，所述CPU的输出连接到MOSFET开关管的栅极，所述MOSFET开关管源极连接电源，所述MOSFET开关管漏极相连，其连线的引出线作为开关管的输出端。本发明采用MOSFET（场效应晶体管）电子开关作为开关部分。MOSFET是电压控制元件，从驱动侧取较少电流的情况下，即可驱动输出侧进行大电流开通，大大延长了开关器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN109581912B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN201811384292.8

申请日：2018-11-20

申请人： 南京华士电子科技有限公司

发明人： 陈方良 ,  张晨 ,  陈爱林 ,  孙灼章 ,  黄海健 ,  周香梅 ,  马步春 ,  李峰 ,  王超 ,  钟嵘

IPC分类号： G05B19/042

摘要： 本发明公开了一种冗余无触点控制开关、控制开关的应用及其控制方法，所述开关包括CPU、若干MOSFET开关管，其中，所述CPU的输出连接到MOSFET开关管的栅极，所述MOSFET开关管源极连接电源，所述MOSFET开关管漏极相连，其连线的引出线作为开关管的输出端。本发明采用MOSFET场效应晶体管）电子开关作为开关部分。MOSFET是电压控制元件，从驱动侧取较少电流的情况下，即可驱动输出侧进行大电流开通，大大延长了开关器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN210015340U

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201821912082.7

申请日：2018-11-20

申请人： 南京华士电子科技有限公司

发明人： 陈方良 ,  张晨 ,  陈爱林 ,  孙灼章 ,  黄海健 ,  周香梅 ,  马步春 ,  李峰 ,  王超 ,  钟嵘

IPC分类号： G05B19/042

摘要： 本实用新型公开了一种冗余无触点控制开关，所述开关包括CPU、若干MOSFET开关管，其中，所述CPU的输出连接到MOSFET开关管的栅极，所述MOSFET开关管源极连接电源，所述MOSFET开关管漏极相连，其连线的引出线作为开关管的输出端。本实用新型采用MOSFET（场效应晶体管）电子开关作为开关部分。MOSFET是电压控制元件，从驱动侧取较少电流的情况下，即可驱动输出侧进行大电流开通，大大延长了开关器件的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利