宇航用耐辐照电缆的制备方法

    公开(公告)号:CN103021575B

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201310001849.6

    申请日:2013-01-05

    Abstract: 本发明是宇航用耐辐照电缆的制备方法,该电缆为单芯有屏蔽无护套电缆;电缆采用多股镀镍铜丝绞合的导体的外围是采用聚酰亚胺材料绕包+聚醚醚酮挤出+聚酰亚胺绕包的复合绝缘层的外围是由采用半导电PEEK挤出的半导电层的外围是采用镀镍铜丝编织的屏蔽层;额定电压2500V。优点:额定电压达到2500V,耐高低温-100℃~+260℃,耐老化、耐冲击、抗开裂、强度高、耐弯曲、阻燃,适用于航天特殊环境,用于设备控制信号及电流传输;通过采用耐辐照材料PI和PEEK作为绝缘层,采用半导电料+镀镍圆铜线编织结构,使电缆获得耐辐照2×109rad的能力和防静电放电的性能;电缆在-100℃下正常敷设安装。

    宇航用耐辐照电缆的制备方法

    公开(公告)号:CN103021575A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201310001849.6

    申请日:2013-01-05

    Abstract: 本发明是宇航用耐辐照电缆的制备方法,该电缆为单芯有屏蔽无护套电缆;电缆采用多股镀镍铜丝绞合的导体的外围是采用聚酰亚胺材料绕包+聚醚醚酮挤出+聚酰亚胺绕包的复合绝缘层的外围是由采用半导电PEEK挤出的半导电层的外围是采用镀镍铜丝编织的屏蔽层;额定电压2500V。优点:额定电压达到2500V,耐高低温-100℃~+260℃,耐老化、耐冲击、抗开裂、强度高、耐弯曲、阻燃,适用于航天特殊环境,用于设备控制信号及电流传输;通过采用耐辐照材料PI和PEEK作为绝缘层,采用半导电料+镀镍圆铜线编织结构,使电缆获得耐辐照2×109rad的能力和防静电放电的性能;电缆在―100℃下正常敷设安装。

    宇航用耐辐照电缆
    3.
    实用新型

    公开(公告)号:CN203102890U

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN201320002423.8

    申请日:2013-01-05

    Abstract: 本实用新型是宇航用耐辐照电缆,其结构是电缆为单芯有屏蔽无护套电缆;电缆采用多股镀镍铜丝绞合的导体的外围是采用聚酰亚胺材料绕包+聚醚醚酮挤出+聚酰亚胺绕包的复合绝缘层的外围是由采用半导电PEEK挤出的半导电层的外围是采用镀镍铜丝编织的屏蔽层;额定电压2500V。优点:额定电压达到2500V,耐高低温-100℃~+260℃,耐老化、耐冲击、抗开裂、强度高、耐弯曲、阻燃,适用于航天特殊环境,用于设备控制信号及电流传输;通过采用耐辐照材料PI和PEEK作为绝缘层,采用半导电料+镀镍圆铜线编织结构,使电缆获得耐辐照2×109rad的能力和防静电放电的性能;电缆在―100℃下正常敷设安装。

Patent Agency Ranking