公开(公告)号：CN112185818A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202011070446.3

申请日：2020-10-09

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 高钰麒 ,  咸冯林 ,  徐林华 ,  匡文剑 ,  郑改革 ,  曹兆楼 ,  李金花 ,  杨明珠 ,  裴世鑫

IPC: H01L21/4763

Abstract: 一种ZnO薄膜的干法刻蚀方法，包括如下步骤：对ZnO薄膜进行清洗，吹干后待用；在ZnO薄膜表面旋涂一层光刻胶；通过掩模紫外曝光和丙酮清洗获得所需图案；对ICP刻蚀的刻蚀腔进行抽真空；向刻蚀腔内通入甲烷、氢气和氩气，气体流量分别为3 sccm、8 sccm和5sccm，调节真空腔压强为0.13Pa；对刻蚀腔进行预刻蚀；在刻蚀腔内载入ZnO薄膜，调节刻蚀温度为20摄氏度，射频功率设置为200 W，ICP功率设置为500W或1000W，进行刻蚀，完成后取出样品，使用丙酮超声清洗去除光刻胶，获得最终样品。本发明方法能够形成表面光滑，刻蚀界面清晰的ZnO刻蚀界面。