一种ZnO基高温超低红外发射率材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114835153A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210556889.6

    申请日:2022-05-19

    Abstract: 本发明公开了一种ZnO基高温超低红外发射率材料及其制备方法,所述耐高温超低红外发射率材料为Zn1‑xCexO,其中x为0.02~0.04,所述Zn1‑xCexO材料呈二维平板状,粒径为0.9~1.2μm,本发明ZnO基高温超低红外发射率材料及其制备方法,为高温红外隐身材料的研制和应用提供了新的方法。基于ZnO材料介电、导电和晶格振动协同耦合效应,使ZnO材料在400℃~600℃高温下,3~5μm波段的红外发射率降低至0.15以下,有望将其作为填料与高温粘合剂复合,采用压力喷涂的方法制备耐高温低红外发射率涂层。本发明制备方法工艺简单,成本低,对合成设备要求简单,易于量产,适合大规模工业化生产。

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