贵金属@COFs@MOS@碳空心纳米球复合薄膜、传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116754616A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310701387.2

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种贵金属@COFs@MOS@碳空心纳米球复合薄膜、传感器及其制备方法,所述复合薄膜以碳空心纳米球为基底,在基底上依次负载金属氧化物半导体量子晶粒、共价有机化合物COFs和贵金属,所述传感器以传感器件为基底,在基底表面沉积贵金属@COFs@MOS@碳空心纳米球复合薄膜,用于检测甲基庚烯酮气体。本发明贵金属@COFs@MOS@碳空心纳米球复合薄膜能够作为敏感层应用于甲基庚烯酮气敏传感器中,该复合薄膜工作温度低,对气体灵敏度高,对甲基庚烯酮选择性高、可重复性好、稳定性好,成本低廉、制备方法简单,可大规模生产。

    一种NGQD/Fe2O3/石墨烯泡沫复合薄膜及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN113075266B

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202110318882.6

    申请日:2021-03-25

    Abstract: 本发明公开了一种NGQD/Fe2O3/石墨烯泡沫复合薄膜及其制备方法与应用,该薄膜包括石墨烯泡沫基底,石墨烯泡沫基底上负载有氧化铁纳米球,氧化铁纳米球中嵌有氨基化石墨烯量子点,该薄膜的制备方法包括以下步骤:(1)制备石墨烯泡沫基底;(2)在铁前驱体溶液中加入氨基化石墨烯量子点,搅拌制备溶胶溶液;(3)将石墨烯泡沫基底浸泡在溶胶溶液中进行提拉镀膜,取出干燥;(4)后置热蒸法处理;(5)置于惰性气体下热处理;该薄膜能够作为敏感层应用在丁醛气敏传感器中,该薄膜工作温度低,对气体灵敏度高,对丁醛选择性高、可重复性好、稳定性好,成本低廉、制备方法简单,可大规模生产。

    一种平面气敏传感元件及其制备方法

    公开(公告)号:CN104833707B

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201510284530.8

    申请日:2015-05-29

    Abstract: 本发明公开了一种平面气敏传感元件及其制备方法。该平面气敏传感元件采用负载CVD石墨烯的气敏传感器件;石墨烯表面沉积一维氧化锌薄膜;一维氧化锌呈笔头状;一维氧化锌的直径为100‑200nm,长宽比大于3,笔尖宽度为10‑100nm。本发明制备得到的气敏传感元件对丙酮气体具有响应快速,灵敏度高,操作温度低,同时对丙酮气体具有较高选择性。

    一种氧化锌纳米柱阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN107344730A

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201710693227.2

    申请日:2017-08-14

    Abstract: 本发明提供一种氧化锌纳米柱阵列的制备方法。利用目前工艺成熟的微电子加工技术,本发明在带有纳米阵列图案的GaN模板上,以Zn(NO3)2和六甲基磷酸三酰胺水溶液作为ZnO纳米柱阵列生长的前驱溶液,采用水热法重力辅助倒置生长制备高度有序、尺寸均匀的ZnO纳米柱阵列。通过制作不同图案的纳米阵列模板生长不同的氧化锌纳米柱阵列;通过调整Zn(NO3)2和六甲基磷酸三酰胺浓度和纳米柱阵列生长温度来调控纳米柱尺寸。本发明通过调整不同的工艺参数可以制备各种高度有序、尺寸均匀的ZnO纳米柱阵列。

    一种有序Cu掺杂的纳米孔氧化锡传感器件

    公开(公告)号:CN105067670A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201510392705.7

    申请日:2015-07-07

    Abstract: 本发明公开了一种有序Cu掺杂的纳米孔氧化锡传感器件,该传感器件通过以下步骤制备:(1)采用旋涂法制备基于叉指电极的氧化石墨烯薄膜;(2)采用旋涂法制备镀有复合传感膜的器件,干燥后,经热蒸汽处理;(3)去除步骤(2)所得器件中的模板剂;(4)将步骤(3)所得器件在紫外照射条件下进行还原反应,即得本发明纳米孔氧化锡传感器件。本发明有序纳米孔Cu摻杂的纳米氧化锡传感器件的传感性能优异,对低浓度H2S气体响应时间和恢复时间均低于20s。

    贵金属@COF-LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN116794117A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310701390.4

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种贵金属@COF‑LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜传感器及制备方法,所述复合薄膜以碳纳米管为基底,在基底上依次负载金属氧化物半导体量子晶粒、共价有机骨架化合物COF‑LZU和贵金属,所述传感器以传感器件为基底,在基底表面沉积贵金属@COF‑LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜,可用于检测丙酮。本发明采用贵金属@COF‑LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜作为敏感层应用于丙酮(CP)气敏传感器中,该复合薄膜工作温度低,对气体灵敏度高,对丙酮选择性高、可重复性好、稳定性好,成本低廉、制备方法简单,可大规模生产。

    基于具有多级介孔结构的金属酞菁MOFs纳米球阵列的传感器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116539676B

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310699708.X

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于具有多级介孔结构的金属酞菁MOFs纳米球阵列的传感器及其制备方法和应用,传感器包括依次层叠的具有二氧化硅介质层的柔性衬底、柔性叉指电极和具有多级介孔结构的金属酞菁MOFs纳米球阵列,制备方法:(1)制备具有二氧化硅介质层的柔性衬底;(2)在具有二氧化硅介质层的柔性衬底的表面制备柔性叉指电极;(3)配制金属酞菁MOFs溶液;(4)将步骤(2)制得的材料浸入金属酞菁MOFs溶液中,依次进行旋涂处理、蒸汽辅助结晶处理、除去模板剂处理和低温等离子处理,即得。本发明传感器稳定性好、灵敏度高、能够在低温下快速检测,可用于ppb级3‑羟基‑2‑丁酮的检测。

    基于稀土金属掺杂卟啉COFs/碳基量子点/In2O3复合薄膜的传感器及制法和应用

    公开(公告)号:CN116429850B

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310699713.0

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于稀土金属掺杂卟啉COFs/碳基量子点/In2O3复合薄膜的传感器及制法和应用,传感器包括依次层叠的柔性衬底、柔性叉指电极和稀土金属掺杂卟啉COFs/碳基量子点/In2O3复合薄膜,制法为:(1)制备带柔性衬底的柔性叉指电极;(2)制备负载碳基量子点/In2O3复合薄膜的柔性传感器件;(3)制备负载卟啉COFs/碳基量子点/In2O3复合薄膜的柔性传感器件;(4)制备基于稀土金属掺杂卟啉COFs/碳基量子点/In2O3复合薄膜的传感器。本发明传感器稳定性好、灵敏度高且能够在低温下快速检测,拥有对2‑丁酮高灵敏度和高选择性的传感性能。

    基于具有多级介孔结构的金属酞菁MOFs纳米球阵列的传感器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116539676A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310699708.X

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于具有多级介孔结构的金属酞菁MOFs纳米球阵列的传感器及其制备方法和应用,传感器包括依次层叠的具有二氧化硅介质层的柔性衬底、柔性叉指电极和具有多级介孔结构的金属酞菁MOFs纳米球阵列,制备方法:(1)制备具有二氧化硅介质层的柔性衬底;(2)在具有二氧化硅介质层的柔性衬底的表面制备柔性叉指电极;(3)配制金属酞菁MOFs溶液;(4)将步骤(2)制得的材料浸入金属酞菁MOFs溶液中,依次进行旋涂处理、蒸汽辅助结晶处理、除去模板剂处理和低温等离子处理,即得。本发明传感器稳定性好、灵敏度高、能够在低温下快速检测,可用于ppb级3‑羟基‑2‑丁酮的检测。

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