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公开(公告)号：CN103487453A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310365253.4
申请日：2013-08-20
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及氮化镓(GaN)异质外延生长材料的位错类型的观测和位错密度的测定方法，利用熔融氢氧化钾及氢氧化钾、氧化镁共熔物刻蚀结合扫描电子显微镜和原子力显微镜，直观观测氮化镓外延膜表面位错类型，分析研究不同类型位错的特性及分布和计算位错密度方法，本方法方便快捷、适用各种不同工艺生长的氮化物的分析测试。对不同氮化物样品均能研究其中不同类型位错的特性，获得各种位错在表面的分布，并且准确计算各种类型位错的密度及总位错密度。
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