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实用新型
一种太赫兹窄带吸收装置有权

公开(公告)号：CN220122111U

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202320337958.4

申请日：2023-02-28

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 倪波 , 冯祯婕 , 倪海彬 , 杨凌升 , 周晓彦 , 华国环 , 常建华

IPC: H01Q17/00

Abstract: 本实用新型公开了一种太赫兹窄带吸收装置，属于太赫兹吸收器技术领域，包括依次堆叠的金属衬底、硅介质层、第一二氧化硅介质层、第二二氧化硅介质层和石墨烯层；所述第二二氧化硅介质层内开设有与第一二氧化硅介质层、石墨烯层相通的腔体；通过在石墨烯层表面引起环形电流，分别在第二二氧化硅腔体和硅介质层中产生强烈的磁共振，电磁共振互相作用产生了两个极窄的吸收峰，且第一二氧化硅介质层两侧积累了大量的电荷，同时硅介质层内产生强烈的磁共振，因此在高频波段内产生了一个极窄的完美吸收峰，实现了三通道窄带吸收。

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