公开(公告)号：CN117913193A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311694546.7

申请日：2023-12-11

申请人： 华灿光电(浙江)有限公司

发明人： 朱知音 ,  王绘凝 ,  冯岩 ,  凡世明 ,  马静超

IPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

摘要： 本公开提供了一种具有稳固电流阻挡层的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管包括：外延层、电流阻挡层和电极；电流阻挡层位于外延层的一面，电流阻挡层背向外延层的一面具有凹槽；电极至少部分位于凹槽内，且电极的外壁与凹槽的内壁相贴。本公开能够有效的避免电流阻挡层在压焊工序中被打碎。

公开(公告)号：CN118073494A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410044373.2

申请日：2024-01-11

申请人： 华灿光电(浙江)有限公司

发明人： 王绘凝 ,  夏章艮 ,  刘传桂 ,  管成龙 ,  汤淼 ,  马静超 ,  王江波

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/00 ,  B23K26/38

摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：衬底，依次层叠在所述衬底的第一半导体层、有源层、第二半导体层；所述衬底具有多个切割面，每个所述切割面均包括至少一个第一切割通道和至少一个第二切割通道，所述第一切割通道和所述第二切割通道间隔分布于同一平面，所述平面与所述衬底的表面垂直，所述第一切割通道与所述衬底的第一表面的距离为S1，所述第二切割通道与所述衬底的第二表面的距离为S2，所述第一表面和所述第二表面是所述衬底相反的两个表面，所述衬底的厚度为D，其中，所述S1与所述D的比值小于阈值，所述S2与所述D的比值小于所述阈值。

公开(公告)号：CN117059721A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310935655.7

申请日：2023-07-27

申请人： 华灿光电(浙江)有限公司

发明人： 王绘凝 ,  栗伟 ,  江平 ,  韩艺蕃 ,  刘传桂 ,  马静超 ,  王江波

IPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/38

摘要： 本公开提供了一种电极及其制备方法和发光二极管，属于光电子制造技术领域。该电极包括：金属反射层、金属导电层、阻挡层和绝缘层，所述金属反射层具有相反的第一表面和第二表面，以及连接所述第一表面和所述第二表面的第一侧壁；所述绝缘层环绕包覆所述第一侧壁，所述阻挡层和所述金属导电层依次层叠在所述第一表面和所述绝缘层的表面。本公开实施例能改善电极的导电性，提升发光二极管的稳定性。