一种微波水热前处理改性的氮化碳及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN114506955B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202210082590.1

    申请日:2022-01-24

    Inventor: 蒋翔 邓婷 汪福宪

    Abstract: 本发明公开了一种微波水热前处理改性的氮化碳及其制备方法与应用,该制备方法包括:将双氰胺或三聚氰胺放入水中,微波水热处理后,冷却得到白色悬浊液,抽滤烘干后得到超分子中间体,在惰性气氛中煅烧即得微波水热前处理改性的氮化碳。本发明首次通过微波水热法处理双氰胺,并创新性的将微波水热前处理改性的氮化碳应用于光催化降解洛匹那韦,微波水热前处理改性的氮化碳光催化15min可降解85%以上的洛匹那韦。微波水热前处理改性促进了氮化碳的光吸收,提升了氮化碳对洛匹那韦的降解性能,相对于传统水热改性,加热速率更快,处理时间更短,降解洛匹那韦的效率更高,且微波水热过程可实时监控釜内压力,更加安全,具有广阔的应用前景。

    一种微波水热前处理改性的氮化碳及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN114506955A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202210082590.1

    申请日:2022-01-24

    Inventor: 蒋翔 邓婷 汪福宪

    Abstract: 本发明公开了一种微波水热前处理改性的氮化碳及其制备方法与应用,该制备方法包括:将双氰胺或三聚氰胺放入水中,微波水热处理后,冷却得到白色悬浊液,抽滤烘干后得到超分子中间体,在惰性气氛中煅烧即得微波水热前处理改性的氮化碳。本发明首次通过微波水热法处理双氰胺,并创新性的将微波水热前处理改性的氮化碳应用于光催化降解洛匹那韦,微波水热前处理改性的氮化碳光催化15min可降解85%以上的洛匹那韦。微波水热前处理改性促进了氮化碳的光吸收,提升了氮化碳对洛匹那韦的降解性能,相对于传统水热改性,加热速率更快,处理时间更短,降解洛匹那韦的效率更高,且微波水热过程可实时监控釜内压力,更加安全,具有广阔的应用前景。

    一种铜钒氧化物-FTO复合光电极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114481205A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210095975.1

    申请日:2022-01-26

    Abstract: 本发明公开了一种铜钒氧化物‑FTO复合光电极及其制备方法和应用。本发明的铜钒氧化物‑FTO复合光电极的组成包括依次设置的FTO基底、第一铜钒氧化物层和第二铜钒氧化物层,第一铜钒氧化物层中Cu、V的摩尔比为5:2,第二铜钒氧化物层中Cu、V的摩尔比为1:2。本发明的铜钒氧化物‑FTO复合光电极的制备方法包括以下步骤:1)配制不同Cu、V摩尔比的前驱体溶液;2)将不同Cu、V摩尔比的前驱体溶液依次沉积到FTO基底上,并进行煅烧,即得铜钒氧化物‑FTO复合光电极。本发明通过在FTO基底上设置不同平带电位的铜钒氧化物层,形成了Z型同质结,最终使得光电极的整体电荷分离效率得到显著提高。

    一种铜钒氧化物-FTO复合光电极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114481205B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202210095975.1

    申请日:2022-01-26

    Abstract: 本发明公开了一种铜钒氧化物‑FTO复合光电极及其制备方法和应用。本发明的铜钒氧化物‑FTO复合光电极的组成包括依次设置的FTO基底、第一铜钒氧化物层和第二铜钒氧化物层,第一铜钒氧化物层中Cu、V的摩尔比为5:2,第二铜钒氧化物层中Cu、V的摩尔比为1:2。本发明的铜钒氧化物‑FTO复合光电极的制备方法包括以下步骤:1)配制不同Cu、V摩尔比的前驱体溶液;2)将不同Cu、V摩尔比的前驱体溶液依次沉积到FTO基底上,并进行煅烧,即得铜钒氧化物‑FTO复合光电极。本发明通过在FTO基底上设置不同平带电位的铜钒氧化物层,形成了Z型同质结,最终使得光电极的整体电荷分离效率得到显著提高。

    一种基于CuV2O6的光电传感器及其在精氨酸检测中的应用

    公开(公告)号:CN113295744B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202110481010.1

    申请日:2021-04-30

    Abstract: 本发明公开了一种基于CuV2O6的光电传感器及其在精氨酸检测中的应用。一种基于CuV2O6的光电传感器,由如下步骤制备得到:利用直流磁控反应共溅射法得到CuV2O6薄膜,利用旋涂法将8‑羟基喹啉溶液负载在CuV2O6薄膜上,得到8‑羟基喹啉修饰的CuV2O6光电传感器。本发明提出的8‑羟基喹啉修饰的CuV2O6光电传感器在精氨酸检测中具有良好的抗干扰能力,所开发的直流磁控反应溅射镀膜法易于实现CuV2O6光电极的低成本大规模生产,传感器设备成本低廉、简单便携、使用简易,在食品安全与健康卫生检测方面具有应用价值。

    一种用于远程激光加密通信系统的激光对准和校正装置及应用方法

    公开(公告)号:CN118631336A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410681212.4

    申请日:2024-05-29

    Inventor: 汪福宪 董博恒

    Abstract: 本发明公开了一种用于远程激光加密通信系统的激光对准和校正装置及应用方法,涉及激光通信技术领域,用于解决远程激光加密通信系统中激光对准和校正的难题。在通信发射端将激光探测器与激光发射器集成,在通信接收端将激光反射挡板与光电异或逻辑门平行布置,实现了激光光强的自反馈调节。借助万向旋转平台和三轴移动平台,通过光电异或逻辑门的信号输出反馈,实现了自动激光对准。整个过程中无需使用额外的无线电通信进行交互反馈,进一步提高了远程激光加密通信的安全性和可靠性,降低通信系统的复杂性,提高通信稳定性,无论是在军用还是民用领域,均具有广阔的应用前景。

    一种氧化铋薄膜制备方法及可重构光电逻辑门

    公开(公告)号:CN115612995A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211124468.2

    申请日:2022-09-15

    Abstract: 本发明公开了一种氧化铋薄膜制备方法及可重构光电逻辑门,本发明首次发现了开路光电压随光强非单调变化的现象,并利用氧化铋的这种独有的特性设计并制造了一种可重构光电逻辑门。因光电压信号不随器件尺寸变化(传统光电流信号随器件尺寸变化),降低了对器件加工精度的要求,有望大幅降低器件加工成本。通过调节输入光强,在不改变阈值条件的情况下,利用单一器件即可实现异或门、与门、与非门、或门、或非门、非门、禁止门等多种逻辑门的可编程重构。相比于传统的电子逻辑门,本发明提出光电逻辑门因其灵活、多样的可编程重构特性,能够以更少的部件实现更加复杂的操作和计算,有望在即将到来的信息爆炸式增长的物联网时代发挥重要的作用。

    一种氧化铋薄膜制备方法及可重构光电逻辑门

    公开(公告)号:CN115612995B

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202211124468.2

    申请日:2022-09-15

    Abstract: 本发明公开了一种氧化铋薄膜制备方法及可重构光电逻辑门,本发明首次发现了开路光电压随光强非单调变化的现象,并利用氧化铋的这种独有的特性设计并制造了一种可重构光电逻辑门。因光电压信号不随器件尺寸变化(传统光电流信号随器件尺寸变化),降低了对器件加工精度的要求,有望大幅降低器件加工成本。通过调节输入光强,在不改变阈值条件的情况下,利用单一器件即可实现异或门、与门、与非门、或门、或非门、非门、禁止门等多种逻辑门的可编程重构。相比于传统的电子逻辑门,本发明提出光电逻辑门因其灵活、多样的可编程重构特性,能够以更少的部件实现更加复杂的操作和计算,有望在即将到来的信息爆炸式增长的物联网时代发挥重要的作用。

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