一种含非富勒烯受体的近红外光谱响应聚合物光探测器件

    公开(公告)号:CN111682110A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN202010402890.4

    申请日:2020-05-13

    Inventor: 陈军武 陈文鑫

    Abstract: 本发明公开了一种含非富勒烯受体的近红外光谱响应聚合物光探测器件。该器件由衬底、底电极、底电极修饰层、有机光活性层、顶电极修饰层及顶电极构成。有机光活性层是由高空穴迁移率共轭聚合物Si25和非富勒烯受体小分子IEICO-4F共混形成的本体异质结薄膜。基于两种材料良好的吸收光谱互补,器件对300-1020nm光谱范围表现出响应特征。通过增加光活性层厚度,器件在反向偏压下的暗电流密度低至4.4×10-9Acm-2。对于波长为940nm的近红外入射光,该器件在反向偏压下的探测率可达到1.0×1013cmHz1/2W-1,并且在超过6个数量级的光功率范围,光电流密度与光强保持良好的线性关系。

    一种含烷羰基联噻吩的共轭聚合物及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN108570141A

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201810183320.3

    申请日:2018-03-06

    Abstract: 本发明涉及一种含烷羰基联噻吩的共轭聚合物及其制备方法与应用。本发明通过采用将创新方法合成的含烷羰基联噻吩单体与多种共轭单体进行共聚,获得含烷羰基联噻吩的共轭聚合物。本发明所制备的新型含烷羰基联噻吩的共聚物在搭配富勒烯衍生物受体、非富勒烯受体时均对太阳光具有良好的吸收性,且具有良好的溶液加工性,能制作面向聚合物太阳电池应用的吸光活性层,聚合物太阳电池具有高能量转换效率。本发明所制备的含烷羰基联噻吩的共轭聚合物因其含有强吸电子的羰基,能实现比含烷基联噻吩的共轭聚合物更高的开路电压。

    一种带有磷酸酯基的三苯胺及其制备方法

    公开(公告)号:CN102516294B

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201110381732.6

    申请日:2011-11-25

    Abstract: 本发明涉及一种带有磷酸酯基的三苯胺及其制备方法。带有磷酸酯基的三苯胺中的两个苯基的4-位取代基包括了溴,碘,氯,有机锡,以及有机硼;所述制备方法包括双溴取代三苯胺、双碘三苯胺和双氯取代三苯胺的制备、双-(三烷基锡)取代三苯胺的制备和双-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂戊硼烷-2-基)三苯胺的制备,制备方法具有工艺简便和快速制备的特征。本发明可用于构造新型带有磷酸酯基的三苯胺分子材料和基于含磷酸酯基的三苯胺为主链结构单元的聚合物,以应用于具有广阔前景的有机光电子器件。

    一种含氟代苯并噻二唑的共轭聚合物及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN103030790A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210545464.1

    申请日:2012-12-14

    CPC classification number: Y02E10/549 Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种含氟代苯并噻二唑的共轭聚合物及其制备方法与应用。本发明通过多种噻吩类单体与含氟代苯并噻二唑的多种单体进行共聚,获得含氟代苯并噻二唑的共轭聚合物。本发明所制备的新型含氟代苯并噻二唑的共轭聚合物具有对太阳光吸收性,因此可应用于制作聚合物太阳电池的活性层。本发明所制备的新型含氟代苯并噻二唑的共轭聚合物具有高载流子迁移能力,因此可应用于制作聚合物场效应晶体管的活性层。

    4,5-乙撑基-2,7-双取代咔唑及其制备方法

    公开(公告)号:CN101891670B

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN201010229956.0

    申请日:2010-07-16

    Inventor: 陈军武 张晨 曹镛

    Abstract: 本发明涉及4,5-乙撑基-2,7-双取代咔唑及其制备方法。4,5-乙撑基-2,7-双取代咔唑中2,7-位的取代基包括了溴,碘,氯,有机锡,以及有机硼;所述制备方法包括4,5-乙撑基-2,7-双溴咔唑或4,5-乙撑基-2,7-双碘咔唑或4,5-乙撑基-2,7-双氯咔唑的制备、N-烷基-4,5-乙撑基-2,7-双-(三烷基锡)咔唑的制备和N-烷基-4,5-乙撑基-2,7-双-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂戊硼烷-2-基)咔唑的制备,制备方法具有工艺简便和快速制备的特征。本发明可用于构造新型咔唑分子和新型含咔唑的聚合物,以应用于具有广阔前景的有机光电子器件。

    二溴取代的硅杂环戊二烯的制备方法

    公开(公告)号:CN100460406C

    公开(公告)日:2009-02-11

    申请号:CN200610034133.6

    申请日:2006-03-09

    Abstract: 本发明涉及一种可应用于制备含硅杂环戊二烯的聚合物的卤素取代的硅杂环戊二烯及其制备方法,卤素取代的硅杂环戊二烯是由2,5-二锌硅杂环戊二烯与二卤化合物反应而成。本发明适用于制备多种化学结构的目标产物。本发明提供的目标产物可用于制备含硅杂环戊二烯聚合物高分子发光材料。

    一种白光共轭聚合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN100441609C

    公开(公告)日:2008-12-10

    申请号:CN200610122706.0

    申请日:2006-10-13

    Inventor: 陈军武 曹镛 汪锋

    CPC classification number: Y02B20/181

    Abstract: 本发明涉及一种白光共轭聚合物及其制备方法和应用。该白光共轭聚合物包含有蓝光、绿光、红光三种发光单元,这三种发光单元通过共轭的化学键相互连接到聚合物的主链上,通过调控三种发光单元的含量,实现了蓝光、绿光、红光的在电致发光过程中的较均衡发射,获得了色座标与标准白光十分接近并且覆盖整个可见光范围的电致白光光谱。本发明提供的白光共轭聚合物适合应用于制作发射白光的聚合物电致发光二极管的发光层。

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