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公开(公告)号：CN109659680A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811507361.X
申请日：2018-12-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于基片集成波导的双频双极化天线，包括介质基板，所述介质基板上表面设置相互正交的第一微带线及第二微带线，交点位于介质基板的中心点，所述介质基板的下表面设置缝隙辐射结构及集成波导腔体结构，所述缝隙辐射结构与集成波导腔体结构连接；所述缝隙辐射结构由四个相同结构的缝隙单元构成，四个缝隙单元分别位于两个相互正交的第一微带线及第二微带线构成的四个象限内；所述缝隙单元由半圆形缝隙、矩形缝隙及矩形缝隙延伸的两条窄圆弧构成，所述半圆形缝隙与矩形缝隙连接。本天线具有良好的辐射特性。
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公开(公告)号：CN109659680B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201811507361.X
申请日：2018-12-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于基片集成波导的双频双极化天线，包括介质基板，所述介质基板上表面设置相互正交的第一微带线及第二微带线，交点位于介质基板的中心点，所述介质基板的下表面设置缝隙辐射结构及集成波导腔体结构，所述缝隙辐射结构与集成波导腔体结构连接；所述缝隙辐射结构由四个相同结构的缝隙单元构成，四个缝隙单元分别位于两个相互正交的第一微带线及第二微带线构成的四个象限内；所述缝隙单元由半圆形缝隙、矩形缝隙及矩形缝隙延伸的两条窄圆弧构成，所述半圆形缝隙与矩形缝隙连接。本天线具有良好的辐射特性。
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公开(公告)号：CN108767437A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810372483.6
申请日：2018-04-24
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01Q1/36 , H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q9/045 , H01Q13/106
Abstract: 本发明公开了一种基于基片集成波导的差分双极化天线，包括介质基板，所述介质基板上表面设置相互正交的第一微带线及第二微带线，交点位于介质基板的中心点，所述介质基板下表面设置缝隙辐射结构及基片集成波导腔体结构，所述基片集成波导腔体结构与缝隙辐射结构相连接，所述第二微带线的中部与缝隙辐射结构短接。本发明具有良好的辐射特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110112549B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201910455653.1
申请日：2019-05-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种差分馈电三频双极化天线，包括介质基板，其特征在于，所述介质基板上表面设置相互正交的第一微带线及第二微带线，交点位于介质基板的中心点，所述介质基板下表面设置缝隙辐射结构及SIW背腔结构，所述缝隙辐射结构位于介质基板及SIW背腔结构中间，且与SIW背腔结构连接；所述缝隙辐射结构包括四个缝隙结构单元及四对寄生缝隙单元，所述四个缝隙结构单元及四对寄生缝隙单元分别位于第一微带线及第二微带线形成的四个象限内。本发明结构简单,剖面低，容易加工，容易集成,在WiFi和5G移动通信领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110112549A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910455653.1
申请日：2019-05-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种差分馈电三频双极化天线，包括介质基板，其特征在于，所述介质基板上表面设置相互正交的第一微带线及第二微带线，交点位于介质基板的中心点，所述介质基板下表面设置缝隙辐射结构及SIW背腔结构，所述缝隙辐射结构位于介质基板及SIW背腔结构中间，且与SIW背腔结构连接；所述缝隙辐射结构包括四个缝隙结构单元及四对寄生缝隙单元，所述四个缝隙结构单元及四对寄生缝隙单元分别位于第一微带线及第二微带线形成的四个象限内。本发明结构简单,剖面低，容易加工，容易集成,在WiFi和5G移动通信领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN208299012U
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201820589405.7
申请日：2018-04-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于基片集成波导的差分双极化天线，包括介质基板，所述介质基板上表面设置相互正交的第一微带线及第二微带线，交点位于介质基板的中心点，所述介质基板下表面设置缝隙辐射结构及基片集成波导腔体结构，所述基片集成波导腔体结构与缝隙辐射结构相连接，所述第二微带线的中部与缝隙辐射结构短接。本实用新型具有良好的辐射特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209948038U
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201920788535.8
申请日：2019-05-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种差分馈电三频双极化天线，包括介质基板，其特征在于，所述介质基板上表面设置相互正交的第一微带线及第二微带线，交点位于介质基板的中心点，所述介质基板下表面设置缝隙辐射结构及SIW背腔结构，所述缝隙辐射结构位于介质基板及SIW背腔结构中间，且与SIW背腔结构连接；所述缝隙辐射结构包括四个缝隙结构单元及四对寄生缝隙单元，所述四个缝隙结构单元及四对寄生缝隙单元分别位于第一微带线及第二微带线形成的四个象限内。本实用新型结构简单,剖面低，容易加工，容易集成,在WiFi和5G移动通信领域有很好的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209282394U
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201822067573.2
申请日：2018-12-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于基片集成波导的双频双极化天线，包括介质基板，所述介质基板上表面设置相互正交的第一微带线及第二微带线，交点位于介质基板的中心点，所述介质基板的下表面设置缝隙辐射结构及集成波导腔体结构，所述缝隙辐射结构与集成波导腔体结构连接；所述缝隙辐射结构由四个相同结构的缝隙单元构成，四个缝隙单元分别位于两个相互正交的第一微带线及第二微带线构成的四个象限内；所述缝隙单元由半圆形缝隙、矩形缝隙及矩形缝隙延伸的两条窄圆弧构成，所述半圆形缝隙与矩形缝隙连接。本天线具有良好的辐射特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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