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公开(公告)号:CN110540233A
公开(公告)日:2019-12-06
申请号:CN201910891955.3
申请日:2019-09-20
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于纳米氧化铟的制备技术领域,具体涉及一种尺寸均匀的氧化铟纳米棒及其制备方法与应用。该方法首先用四水合三氯化铟、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙二醇(PEG-600)、去离子水和KOH制备氢氧化铟前驱体粉体,然后将重新分散的氢氧化铟前驱体粉体进行梯度离心,最后经过高温煅烧即得到尺寸均匀的的氧化铟纳米棒。该的氧化铟纳米棒直径为30~50nm,长度为1~5μm,长径比的范围为20~170。纳米棒呈单根分散的形式存在,有利于其在光电器件、气敏、传感等方面的应用。其工艺简单可行,反应条件较为温和,便于大规模生产。
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公开(公告)号:CN110540233B
公开(公告)日:2021-05-14
申请号:CN201910891955.3
申请日:2019-09-20
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于纳米氧化铟的制备技术领域,具体涉及一种尺寸均匀的氧化铟纳米棒及其制备方法与应用。该方法首先用四水合三氯化铟、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙二醇(PEG‑600)、去离子水和KOH制备氢氧化铟前驱体粉体,然后将重新分散的氢氧化铟前驱体粉体进行梯度离心,最后经过高温煅烧即得到尺寸均匀的的氧化铟纳米棒。该的氧化铟纳米棒直径为30~50nm,长度为1~5μm,长径比的范围为20~170。纳米棒呈单根分散的形式存在,有利于其在光电器件、气敏、传感等方面的应用。其工艺简单可行,反应条件较为温和,便于大规模生产。
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