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公开(公告)号：CN112436811A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011089541.8
申请日：2020-10-13
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属氧化物TFT的运算放大器、芯片及方法，其中运算放大器包括辅助放大器和自举增益提高放大器，辅助放大器采用两级正反馈结构，包括第五晶体管、第七晶体管、第十一晶体管、第一放大单元和第二放大单元，所述第五晶体管的栅极作为运算放大器的输入端，自举增益提高放大器包括两个相互对称的第二电路，所述第二电路包括第一晶体管、第二晶体管和自举结构的电流源单元。本发明利用自举增益提高技术，实现了高增益与稳定相位裕度的薄膜晶体管运算放大器电路；另外，辅助放大器采用两种正反馈结构，进一步提高了电压增益，可广泛应用于集成电路设计技术领域。
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公开(公告)号：CN112436811B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202011089541.8
申请日：2020-10-13
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属氧化物TFT的运算放大器、芯片及方法，其中运算放大器包括辅助放大器和自举增益提高放大器，辅助放大器采用两级正反馈结构，包括第五晶体管、第七晶体管、第十一晶体管、第一放大单元和第二放大单元，所述第五晶体管的栅极作为运算放大器的输入端，自举增益提高放大器包括两个相互对称的第二电路，所述第二电路包括第一晶体管、第二晶体管和自举结构的电流源单元。本发明利用自举增益提高技术，实现了高增益与稳定相位裕度的薄膜晶体管运算放大器电路；另外，辅助放大器采用两种正反馈结构，进一步提高了电压增益，可广泛应用于集成电路设计技术领域。
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公开(公告)号：CN112383304B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202011089549.4
申请日：2020-10-13
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单极型薄膜晶体管的电荷泵锁相环、芯片及方法，其中锁相环包括：电路由鉴频鉴相器，用于检测时钟Fref与时钟Fn的相位差和频率差，产生控制信号UP和DOWN；逻辑控制模块，用于输出逻辑状态信号；电荷泵，用于将逻辑状态信号转换成充电、放电电流信号；低通滤波器，用于输出直流模拟控制信号Vctrl；压控振荡器，用于调整输出时钟频率Fvco；四分频电路，用于分频获得时钟Fn。本发明在环路中增加逻辑控制模块，为电荷泵提供四种工作状态，消除因复位状态时间过短而产生的“死区”状态且使电流源保持常开状态，提高环路稳定性与电荷泵工作速度，可广泛应用于半导体集成电路领域。
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公开(公告)号：CN112383304A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011089549.4
申请日：2020-10-13
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单极型薄膜晶体管的电荷泵锁相环、芯片及方法，其中锁相环包括：电路由鉴频鉴相器，用于检测时钟Fref与时钟Fn的相位差和频率差，产生控制信号UP和DOWN；逻辑控制模块，用于输出逻辑状态信号；电荷泵，用于将逻辑状态信号转换成充电、放电电流信号；低通滤波器，用于输出直流模拟控制信号Vctrl；压控振荡器，用于调整输出时钟频率Fvco；四分频电路，用于分频获得时钟Fn。本发明在环路中增加逻辑控制模块，为电荷泵提供四种工作状态，消除因复位状态时间过短而产生的“死区”状态且使电流源保持常开状态，提高环路稳定性与电荷泵工作速度，可广泛应用于半导体集成电路领域。
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