公开(公告)号：CN113410066A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110644798.3

申请日：2021-06-09

申请人： 华南理工大学

发明人： 张环环 ,  赵曼琳 ,  马於光

IPC分类号： H01G11/30 ,  H01G11/86 ,  H01M4/04 ,  H01M4/60

摘要： 本发明公开了一种水氧稳定的有机电极及其制备方法和应用。本发明的有机电极由LUMO能级不低于‑3.6eV的n型有机半导体材料和HOMO能级高于‑3.6eV的n型掺杂剂组成，其制备方法包括以下步骤：1)通过电化学原位聚合制备n型有机半导体材料；2)通过负向电化学扫描实现n型掺杂剂对n型有机半导体材料的掺杂。本发明的有机电极由LUMO能级不低于‑3.6eV的n型有机半导体材料和HOMO能级高于‑3.6eV的n型掺杂剂组成，低电离能的n型掺杂剂可以有效地捕获溶剂中残余水氧形成的电子陷阱使其失活，避免其捕获电极材料在工作时产生的自由电子，最终可以提高电极材料的稳定性。

公开(公告)号：CN112441992A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202011265526.4

申请日：2020-11-13

申请人： 华南理工大学

发明人： 顾成 ,  汤小辉 ,  张环环

IPC分类号： C07D279/20 ,  C08G73/06 ,  C08J5/22 ,  C08L79/04

摘要： 本发明公开了一种含氮杂环化合物和可溶性多孔聚合物。本发明的含氮杂环化合物的结构式如下：本发明的可溶性多孔聚合物由本发明的含氮杂环化合物聚合得到，其重复单元的结构如下： 本发明的含氮杂环化合物的氧化电位非常低，很容易被有机酸/无机酸掺杂得到阳离子有机小分子，且由本发明的含氮杂环化合物聚合得到的有机多孔聚合物可以很好地溶解在高极性有机溶剂中，从而便于采取溶液加工的方式进行加工处理，制备的薄膜应用在质子传导领域具有较高的导电率。

公开(公告)号：CN112441992B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202011265526.4

申请日：2020-11-13

申请人： 华南理工大学

发明人： 顾成 ,  汤小辉 ,  张环环

IPC分类号： C07D279/20 ,  C08G73/06 ,  C08J5/22 ,  C08L79/04

摘要： 本发明公开了一种含氮杂环化合物和可溶性多孔聚合物。本发明的含氮杂环化合物的结构式如下：本发明的可溶性多孔聚合物由本发明的含氮杂环化合物聚合得到，其重复单元的结构如下：本发明的含氮杂环化合物的氧化电位非常低，很容易被有机酸/无机酸掺杂得到阳离子有机小分子，且由本发明的含氮杂环化合物聚合得到的有机多孔聚合物可以很好地溶解在高极性有机溶剂中，从而便于采取溶液加工的方式进行加工处理，制备的薄膜应用在质子传导领域具有较高的导电率。

公开(公告)号：CN113410066B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202110644798.3

申请日：2021-06-09

申请人： 华南理工大学

发明人： 张环环 ,  赵曼琳 ,  马於光

IPC分类号： H01G11/30 ,  H01G11/86 ,  H01M4/04 ,  H01M4/60

摘要： 本发明公开了一种水氧稳定的有机电极及其制备方法和应用。本发明的有机电极由LUMO能级不低于‑3.6eV的n型有机半导体材料和HOMO能级高于‑3.6eV的n型掺杂剂组成，其制备方法包括以下步骤：1)通过电化学原位聚合制备n型有机半导体材料；2)通过负向电化学扫描实现n型掺杂剂对n型有机半导体材料的掺杂。本发明的有机电极由LUMO能级不低于‑3.6eV的n型有机半导体材料和HOMO能级高于‑3.6eV的n型掺杂剂组成，低电离能的n型掺杂剂可以有效地捕获溶剂中残余水氧形成的电子陷阱使其失活，避免其捕获电极材料在工作时产生的自由电子，最终可以提高电极材料的稳定性。