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公开(公告)号：CN118867387A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410897637.9
申请日：2024-07-05
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01M10/0567 , H01M10/054
Abstract: 本发明属于电池领域，公开了一种钠离子电池电解液添加剂及其在钠离子电池中的应用。所述的添加剂为无水四硼酸钠Na2B4O7。当在电解液中添加Na2TB时，钠离子正极的循环稳定性、库伦效率和倍率性能都明显提高，循环稳定性显著提高的主要原因是添加剂中TB2‑阴离子优先氧化分解形成稳定的CEI膜，有效抑制了因CEI膜破裂导致的溶剂持续分解进而产生的容量衰退和库伦效率下降的现象。且上述优点适用于‑10℃‑55℃的温度范围条件。Na2TB添加剂通过对钠离子电池正极‑电解液界面修饰和优化，从而有效提高界面膜稳定性，降低电极界面阻抗，提升电池性能。
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公开(公告)号：CN108565336B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201810200682.9
申请日：2018-03-12
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明提供一种BiFeO3薄膜及其制备方法，所述BiFeO3薄膜包括BiFeO3纳米点，所述BiFeO3纳米点包括菱形相/四方相混合相和纯四方相，其中菱形相/四方相混合相的比例为50～80％。所述BiFeO3薄膜的制备方法包括以下步骤：(1)在单晶衬底上外延生长一底电极层，然后在底电极层上外延生长一BiFeO3层，最后在BiFeO3层表面铺上一单层聚苯乙烯小球；(2)使用氧等离子分割单层聚苯乙烯小球；(3)使用氩离子束刻蚀BiFeO3层；(4)使用氯仿去除单层聚苯乙烯小球，得到BiFeO3薄膜。本发明将BiFeO3层刻蚀成纳米点来诱导相变，通过使用不同直径的聚苯乙烯小球，可以得到直径不同纳米点，通过控制氩离子束刻蚀时间可以得到不同的刻蚀深度，从而达到精准可控的目的，同时不破坏样品。
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公开(公告)号：CN108682736A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810344628.1
申请日：2018-04-17
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L43/12
CPC classification number: H01L43/12
Abstract: 本发明涉及一种铁酸铋薄膜周期性条带畴的定向调控方法，将铁酸铋薄膜置于导电探针下方，利用导电探针写入翻转电压，对铁酸铋薄膜周期性条带畴的初始极化矢量产生垂直电场作用，采用导电探针在薄膜表面移动扫描，对初始极化矢量产生水平拖拽作用，结合该垂直电场作用和水平拖拽作用，可以在较低电压下实现条带畴极化的翻转；并且，通过不同的扫描方向可对初始极化矢量产生水平面不同方向的拖拽作用，经过多次往复翻转配合，可克服现有方法在低电压下的单调性，实现条带畴多个方向的定向调控。
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公开(公告)号：CN111540742A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010281515.9
申请日：2020-04-10
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L27/11504 , H01L27/11507
Abstract: 一种新型铁电拓扑畴存储单元的制备方法，包括以下步骤：S1：采用脉冲激光沉积法在(001)方向的STO(SrTiO3)单晶衬底上沉积一层BFO(BiFeO3)薄膜；S2：采用热蒸镀法在BFO薄膜表面上沉积一层金镀层，制得铁电材料；S3：存储单元的制备：采用导电原子力显微镜(PFM)探针在S2所述的金镀层表面进行刮擦，刮去局部金镀层，露出BFO区域，将BFO区域外周的金接地作为金电极，BFO区域中心作为BFO电极，制得存储单元；S4：存储单元的调控：通过向BFO电极施加点电压诱导BFO区域形成中心汇聚畴或中心发散畴。相比于现有技术，本发明制得一种方便调控、稳定性高的拓扑畴，能够实现高密度存储。
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公开(公告)号：CN109802033A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811554397.3
申请日：2018-12-19
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明提供一种利用离子注入诱导BiFeO3薄膜可逆相变的方法，对BiFeO3薄膜注入氦离子，使其晶格随氦离子注入量的增加逐渐按菱方相→类四方相→四方相→超四方相的顺序发生转变，再进行退火处理，使其晶格按超四方相→四方相→类四方相→菱方相的顺序发生转变。通过将氦离子注入包括菱方相的BiFeO3薄膜中，氦离子进入BiFeO3的晶格间隙，给菱方相的晶格的ab面提供应力，使c轴拉伸，促使菱方相逐渐转变为类四方相和/或四方相和/或超四方相。再经过退火处理并合理控制退火温度和退火时间可有效激发氦离子溢出晶格间隙，使类四方相和/或四方相和/或超四方相恢复成菱方相，实现了类四方相和/或四方相和/或超四方相与菱方相之间的可控、可逆转变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109208069A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810789219.2
申请日：2018-07-18
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明涉及一种诱导铁酸铋薄膜相变的方法，通过在BFO和基片之间插入一层外延生长的单晶薄膜作为应变的提供者，该单晶薄膜与BFO薄膜的晶格失配度范围为-4％～-6％，满足诱导BFO由R相转变为T相的必要条件，从而突破了对于基片的限制，在与BFO晶格失配度较小的基片上也能实现BFO的R-T相变。
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公开(公告)号：CN118562085A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410768668.4
申请日：2024-06-14
Applicant: 华南师范大学
IPC: C08G18/66 , C08G18/50 , C08G18/32 , C09D175/08 , H01M4/66 , H01M10/052
Abstract: 本发明属于锂金属电池负极材料及电化学技术领域，公开了一种硼酸酯型聚合物及其应用、一种硼酸酯型聚合物修饰铜箔及无负极锂金属电池。本发明的硼酸酯型聚合物由氮配位硼酸二酯、异氰酸酯三聚体以及双氨基封端直链聚合物通过异氰酸酯基团与亲核基团之间的亲核加成反应得到。本发明通过将三种反应物溶解到有机溶剂中，并涂覆在铜箔上使之反应聚合形成硼酸酯型聚合物修饰的铜箔，以此构建无负极锂金属电池。硼酸酯型聚合物具有优异的热稳定、机械性能和高离子电导率，有利于锂离子均匀沉积，有效抑制锂枝晶的生长。本发明制备方法简单，适应于规模化生产，与富锂正极材料相匹配，能达到新型高能量密度动力电池的使用要求，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110408888B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910517318.X
申请日：2019-06-14
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化物薄膜衬底、氧化物薄膜及其制备方法，通过在衬底基材跟氧化物薄膜之间引入界面层，通过界面层材料跟氧化物晶格失配度之间的关系，当氧化物发生相变的同时，同时受到衬底基材和界面层的应变；通过控制界面层的厚度，进而控制其应力释放的程度，能够获得特定晶体结构的氧化物薄膜；通过界面层的设置，突破了单一衬底提供固定应力的局限，填补了应变区域的空白，实现了多形态相边界；解决了市场上某些衬底价格昂贵且数量有限的局限，具有一定经济价值。
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公开(公告)号：CN110408888A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910517318.X
申请日：2019-06-14
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化物薄膜衬底、氧化物薄膜及其制备方法，通过在衬底基材跟氧化物薄膜之间引入界面层，通过界面层材料跟氧化物晶格失配度之间的关系，当氧化物发生相变的同时，同时受到衬底基材和界面层的应变；通过控制界面层的厚度，进而控制其应力释放的程度，能够获得特定晶体结构的氧化物薄膜；通过界面层的设置，突破了单一衬底提供固定应力的局限，填补了应变区域的空白，实现了多形态相边界；解决了市场上某些衬底价格昂贵且数量有限的局限，具有一定经济价值。
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