基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106449974B

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201610899238.1

    申请日:2016-10-14

    Abstract: 本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法,包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层;所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层,第二有机聚合物薄膜层,及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS2量子点/有机聚合物复合薄膜层,所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。本发明提供的阻变存储器具有重复性高、器件的性能稳定、响应速度快等特点,可用于高度集成的大容量存储器领域。

    基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106449974A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610899238.1

    申请日:2016-10-14

    CPC classification number: H01L51/00 H01L51/0003 H01L51/0034 H01L2251/301

    Abstract: 本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法,包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层;所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层,第二有机聚合物薄膜层,及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS2量子点/有机聚合物复合薄膜层,所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。本发明提供的阻变存储器具有重复性高、器件的性能稳定、响应速度快等特点,可用于高度集成的大容量存储器领域。

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