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公开(公告)号：CN107179501B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201710471828.9
申请日：2017-06-20
Applicant: 华北电力大学(保定) , 中国电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC: G01R31/327 , G01R31/12
Abstract: 一种单相断路器分闸重击穿模拟实验装置，构成中包括真空触发开关、脉冲变压器、IGBT、电压传感器和MCU，所述真空触发开关并接在断路器上；所述脉冲变压器的原边线圈通过IGBT与直流电源连接，副边线圈的输出信号接真空触发开关的触发极；所述IGBT的栅极接MCU的输出端口；所述电流传感器被断路器出口线穿过，输出端接MCU的输入端口。本发明通过真空触发开关的导通来模拟断路器的分闸重击穿，真空触发开关不仅动作速度快，而且流过的电流足够大，动作速度和通流容量都能够满足实验要求，可为避雷器各种特性的实验验证提供技术支持。此外，本发明还具有结构简单，可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN107179501A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710471828.9
申请日：2017-06-20
Applicant: 华北电力大学(保定) , 中国电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC: G01R31/327 , G01R31/12
CPC classification number: G01R31/327 , G01R31/12
Abstract: 一种单相断路器分闸重击穿模拟实验装置，构成中包括真空触发开关、脉冲变压器、IGBT、电压传感器和MCU，所述真空触发开关并接在断路器上；所述脉冲变压器的原边线圈通过IGBT与直流电源连接，副边线圈的输出信号接真空触发开关的触发极；所述IGBT的栅极接MCU的输出端口；所述电流传感器被断路器出口线穿过，输出端接MCU的输入端口。本发明通过真空触发开关的导通来模拟断路器的分闸重击穿，真空触发开关不仅动作速度快，而且流过的电流足够大，动作速度和通流容量都能够满足实验要求，可为避雷器各种特性的实验验证提供技术支持。此外，本发明还具有结构简单，可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN207268771U
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201720719093.2
申请日：2017-06-20
Applicant: 华北电力大学(保定) , 中国电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC: G01R31/327 , G01R31/12
Abstract: 一种单相断路器分闸重击穿模拟实验装置，构成中包括真空触发开关、脉冲变压器、IGBT、电压传感器和MCU，所述真空触发开关并接在断路器上；所述脉冲变压器的原边线圈通过IGBT与直流电源连接，副边线圈的输出信号接真空触发开关的触发极；所述IGBT的栅极接MCU的输出端口；所述电流传感器被断路器出口线穿过，输出端接MCU的输入端口。本实用新型通过真空触发开关的导通来模拟断路器的分闸重击穿，真空触发开关不仅动作速度快，而且流过的电流足够大，动作速度和通流容量都能够满足实验要求，可为避雷器各种特性的实验验证提供技术支持。此外，本实用新型还具有结构简单，可靠性高等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN105301492A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510881487.3
申请日：2015-12-04
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: G01R31/327
Abstract: 一种高压电容器单元中内熔丝保护性能校验方法，具体步骤为：建立电容器单元中某一个电容器元件击穿时的等值电路；求解该等值电路，获得流过击穿电容器元件支路的电流表达式；根据电流表达式及内熔丝电阻计算注入与击穿电容器元件串联的内熔丝的能量；结合整个电容器装置的参数以及内熔丝的材料和尺寸，判断高压电容器单元中所使用的内熔丝能否可靠熔断。本发明能够准确判断高压电容器单元所选择的内熔丝能否可靠熔断，为高压电容器单元选择合适的内熔丝提供可靠保障。
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