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公开(公告)号：CN112865557A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110270520.4
申请日：2021-03-12
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H02M7/00 , H02M7/5387 , H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种MOSFET高频全桥逆变单元，所述全桥逆变单元包括：滤波电容、PCB板、H桥全桥并联谐振结构、两个散热器、第一层叠铜排、第二层叠铜排、上绝缘板、下绝缘板、两条直流母线输入铜板和两条交流输出铜板，本发明的MOSFET高频全桥逆变单元采用长方形封装结构，将散热器设置在长方形封装结构内侧，并将H桥全桥并联谐振结构的MOSFET管和阻容吸收组件设置在散热器的两侧(分别设置在位于散热器外侧的层叠铜排上和位于散热器内侧的PCB板上)，避免了因为滤波电容过大造成散热器表面不平整的技术缺陷，提高了MOSFET管与散热器表面接触的稳定性，且使结构更加紧凑，提高了阻容吸收性能。
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公开(公告)号：CN112821732B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202110268673.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种并联MOSFET的高频电路驱动电路，所述驱动电路包括：驱动信号产生模块、脉冲隔离模块和脉冲处理模块；所述驱动信号产生模块的输出端与所述脉冲隔离模块的输入端连接，所述驱动信号产生模块用于产生方向相反、幅值相等且同时带死区的两路高频驱动信号，并输出给所述脉冲隔离模块；所述脉冲隔离模块的输出端与所述脉冲处理模块的输入端连接，所述脉冲处理模块的输出端连接并联连接的多个MOSFET的栅极。本发明采用脉冲隔离模块和脉冲处理模块实现并联连接的多个MOSFET的驱动，无需直插电容，克服了直插电容的驱动电路在进行大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时会产生较大的开关损耗的技术缺陷，减少了大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时的开关损耗。
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公开(公告)号：CN112865557B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110270520.4
申请日：2021-03-12
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H02M7/00 , H02M7/5387 , H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种MOSFET高频全桥逆变单元，所述全桥逆变单元包括：滤波电容、PCB板、H桥全桥并联谐振结构、两个散热器、第一层叠铜排、第二层叠铜排、上绝缘板、下绝缘板、两条直流母线输入铜板和两条交流输出铜板，本发明的MOSFET高频全桥逆变单元采用长方形封装结构，将散热器设置在长方形封装结构内侧，并将H桥全桥并联谐振结构的MOSFET管和阻容吸收组件设置在散热器的两侧(分别设置在位于散热器外侧的层叠铜排上和位于散热器内侧的PCB板上)，避免了因为滤波电容过大造成散热器表面不平整的技术缺陷，提高了MOSFET管与散热器表面接触的稳定性，且使结构更加紧凑，提高了阻容吸收性能。
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公开(公告)号：CN112821732A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110268673.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种并联MOSFET的高频电路驱动电路，所述驱动电路包括：驱动信号产生模块、脉冲隔离模块和脉冲处理模块；所述驱动信号产生模块的输出端与所述脉冲隔离模块的输入端连接，所述驱动信号产生模块用于产生方向相反、幅值相等且同时带死区的两路高频驱动信号，并输出给所述脉冲隔离模块；所述脉冲隔离模块的输出端与所述脉冲处理模块的输入端连接，所述脉冲处理模块的输出端连接并联连接的多个MOSFET的栅极。本发明采用脉冲隔离模块和脉冲处理模块实现并联连接的多个MOSFET的驱动，无需直插电容，克服了直插电容的驱动电路在进行大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时会产生较大的开关损耗的技术缺陷，减少了大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时的开关损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204756726U
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201520473934.7
申请日：2015-07-06
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: F21S9/02 , F21V21/22 , F21V19/00 , F21V23/00 , F21Y101/02
Abstract: 本实用新型提供一种便携式折叠台灯，它包括有基座、支架、灯罩，其中，支架一端铰接在基座前端两侧，另一端与灯罩铰接，两条支架之间通过横板连接加固，灯罩底部前侧设有光源，灯罩底部后侧设有凹状伸缩槽，伸缩槽内设有灯罩伸缩杆；基座内设有滑动腔，滑动腔两侧的基座上设有滑槽，滑动腔内设有滑轴，高度调节杆一端铰接在滑轴上，另一端向后上方倾斜与支架后侧的横板相铰接；基座尾部设有电源室。本实用新型的优点在于结构简单、可折叠、折叠后体积小，只有书本大小，可放进书包或公文包，携带方便。
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公开(公告)号：CN203783261U
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201420149531.2
申请日：2014-03-31
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: E05B17/22
Abstract: 本实用新型提供一种自动复位的锁定装置，它包括有固定座、按钮、按钮弹簧、插栓，其中，固定座内设有一沉孔滑槽，沉孔滑槽底部设有一插栓弹簧，插栓弹簧一端与沉孔滑槽底面相抵触，另一端与装配在沉孔滑槽内的插栓一端相抵触，插栓另一端延伸至固定座外形成卡位，插栓中部设有滑块槽，滑块槽位于插栓弹簧一侧的侧壁为倾斜侧壁；固定座内还设有滑块，滑块一端位于滑块槽内，其端部设有与滑块槽倾斜侧壁相向的倾斜壁，滑块另一端设有退栓槽，退栓槽位于插栓一侧的侧壁为倾斜侧壁；按钮通过按钮弹簧安装在固定座内，其一端延伸至退栓槽内，其端部设有与退栓槽倾斜侧壁相向的倾斜壁。本实用新型的结构简单、实用性强。
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公开(公告)号：CN214591132U
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202120523289.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H02M1/088
Abstract: 本实用新型公开了一种并联MOSFET的高频电路驱动电路，所述驱动电路包括：驱动信号产生模块、脉冲隔离模块和脉冲处理模块；所述驱动信号产生模块的输出端与所述脉冲隔离模块的输入端连接，驱动信号产生模块用于产生方向相反、幅值相等且同时带死区的两路高频驱动信号，并输出给所述脉冲隔离模块；脉冲隔离模块的输出端与脉冲处理模块的输入端连接，脉冲处理模块的输出端连接并联连接的多个MOSFET的栅极。本实用新型采用脉冲隔离模块和脉冲处理模块实现并联连接的多个MOSFET的驱动，无需直插电容，克服了直插电容的驱动电路在进行大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时会产生较大的开关损耗的技术缺陷，减少了大功率的多个并联MOSFET的高频驱动时的开关损耗。
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公开(公告)号：CN214315072U
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202120523077.2
申请日：2021-03-12
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H02M7/00 , H02M7/5387 , H05K7/20
Abstract: 本实用新型公开了一种MOSFET高频全桥逆变单元，所述全桥逆变单元包括：滤波电容、PCB板、H桥全桥并联谐振结构、两个散热器、第一层叠铜排、第二层叠铜排、上绝缘板、下绝缘板、两条直流母线输入铜板和两条交流输出铜板，本实用新型的MOSFET高频全桥逆变单元采用长方形封装结构，将散热器设置在长方形封装结构内侧，并将H桥全桥并联谐振结构的MOSFET管和阻容吸收组件设置在散热器的两侧(分别设置在位于散热器外侧的层叠铜排上和位于散热器内侧的PCB板上)，避免了因为滤波电容过大造成散热器表面不平整的技术缺陷，提高了MOSFET管与散热器表面接触的稳定性，且使结构更加紧凑，提高了阻容吸收性能。
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公开(公告)号：CN203969537U
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201420453795.7
申请日：2014-08-13
Applicant: 华北电力大学(保定)
Inventor： 李亚斌
Abstract: 本实用新型提供便携式多功能电脑包，它包括有包体，包体分为上、下两层，上层为电脑放置层，下层为支架收放层，电脑放置层内设有鼠标板；电脑放置层、支架收放层分别通过相应的上盖和下盖扣合；包体外侧壁上设有提手和背带；伸缩支撑脚端部通过弹簧连接件和连接销铰在支架收放层的四个转角处；伸缩支撑脚上设有n节伸缩脚，2≤n≤5，每节伸缩脚上均设有滑动锁定装置。本包外观造型时髦，切合人的个性，采用的材料对人体无伤害，同时重量轻、能防雨、防晒等。
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