公开(公告)号：CN104724758A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510101103.1

申请日：2015-03-06

Applicant: 华北电力大学 ,  华北电力大学苏州研究院

Inventor： 李美成 ,  崔鹏 ,  宋丹丹 ,  赵兴 ,  王恬悦 ,  李垚垚 ,  范汇洋

IPC: C01G41/02 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01G41/02 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/36 ,  C01P2004/64

Abstract: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种多纳米片层WO3阵列材料的制备方法。本发明的方法直接用导电玻璃为衬底，采用钨酸钠为钨源，控制溶液在一定pH值条件下，利用一步水热法合成WO3纳米片层阵列材料。本发明方法简单安全，制备成本低，易于控制；制备出的纳米阵列形貌均一，且直接生长于FTO衬底上，可与导电基底形成更好的导电通道，在太阳能电池领域及光催化领域将有更广阔的应用前景，同时也是制备电致变色薄膜、光致变色薄膜、气敏传感器的理想材料。

公开(公告)号：CN104724758B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201510101103.1

申请日：2015-03-06

Applicant: 华北电力大学 ,  华北电力大学苏州研究院

Inventor： 李美成 ,  崔鹏 ,  宋丹丹 ,  赵兴 ,  王恬悦 ,  李垚垚 ,  范汇洋

IPC: C01G41/02 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种多纳米片层WO3阵列材料的制备方法。本发明的方法直接用导电玻璃为衬底，采用钨酸钠为钨源，控制溶液在一定pH值条件下，利用一步水热法合成WO3纳米片层阵列材料。本发明方法简单安全，制备成本低，易于控制；制备出的纳米阵列形貌均一，且直接生长于FTO 衬底上，可与导电基底形成更好的导电通道，在太阳能电池领域及光催化领域将有更广阔的应用前景，同时也是制备电致变色薄膜、光致变色薄膜、气敏传感器的理想材料。