一种基于瑞利近似测量生物质火焰温度和发射率的方法

    公开(公告)号:CN111238663B

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN202010026274.3

    申请日:2020-01-10

    Abstract: 一种基于瑞利近似测量生物质火焰温度和发射率的方法,包括以下步骤:1、利用光谱仪获得待测火焰光谱辐射强度与波长数据并计算得到光谱辐射源项;2、基于瑞利近似假设,将辐射源项表示为碳烟颗粒体积分数和温度的函数;3、得到相邻波长的辐射源项对应关系;4、假定温度值,选取中间波长与辐射源项为初值,求解相邻波段的辐射源项,并逐步求解至整个波段,并得到对应辐射强度曲线;5、以相对残差的1范数评估计算辐射强度与测量辐射强度的偏差;重复4、5步骤,逐步提高计算精度直到收敛,将收敛的温度视为温度的测量结果,并得到发射率。本方法能够根据待测生物质火焰光谱强度得到待测生物质火焰的温度和随波长变化的发射率分布,结果可靠。

    一种基于多光谱测量生物质火焰发射率的方法

    公开(公告)号:CN111551255A

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN202010252298.0

    申请日:2020-04-01

    Abstract: 一种基于多光谱测量生物质火焰发射率的方法,该方法首先利用光谱仪获得待测火焰光谱辐射强度,再利用热电偶测温,由修正后的测温结果得到待测火焰真温,基于普朗克定律求得该温度下随波长变化的黑体光谱辐射强度,由不同波长下的黑体光谱辐射强度和实际发射体的光谱辐射强度求得生物质火焰发射率分布结果。本方法能够根据待测火焰光谱辐射强度及热电偶测得的火焰温度得到待测火焰随波长变化的发射率分布,结果可靠。

    一种基于多光谱测量生物质火焰发射率的方法

    公开(公告)号:CN111551255B

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202010252298.0

    申请日:2020-04-01

    Abstract: 一种基于多光谱测量生物质火焰发射率的方法,该方法首先利用光谱仪获得待测火焰光谱辐射强度,再利用热电偶测温,由修正后的测温结果得到待测火焰真温,基于普朗克定律求得该温度下随波长变化的黑体光谱辐射强度,由不同波长下的黑体光谱辐射强度和实际发射体的光谱辐射强度求得生物质火焰发射率分布结果。本方法能够根据待测火焰光谱辐射强度及热电偶测得的火焰温度得到待测火焰随波长变化的发射率分布,结果可靠。

    一种基于瑞利近似测量生物质火焰温度和发射率的方法

    公开(公告)号:CN111238663A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN202010026274.3

    申请日:2020-01-10

    Abstract: 一种基于瑞利近似测量生物质火焰温度和发射率的方法,包括以下步骤:1、利用光谱仪获得待测火焰光谱辐射强度与波长数据并计算得到光谱辐射源项;2、基于瑞利近似假设,将辐射源项表示为碳烟颗粒体积分数和温度的函数;3、得到相邻波长的辐射源项对应关系;4、假定温度值,选取中间波长与辐射源项为初值,求解相邻波段的辐射源项,并逐步求解至整个波段,并得到对应辐射强度曲线;5、以相对残差的1范数评估计算辐射强度与测量辐射强度的偏差;重复4、5步骤,逐步提高计算精度直到收敛,将收敛的温度视为温度的测量结果,并得到发射率。本方法能够根据待测生物质火焰光谱强度得到待测生物质火焰的温度和随波长变化的发射率分布,结果可靠。

    一种级联半导体开关低感模块的拓扑及压装结构

    公开(公告)号:CN116846377A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310864701.9

    申请日:2023-07-14

    Abstract: 本发明公开一种级联半导体开关低感模块的拓扑及压装结构,属于电力电子技术领域。将传统级联二极管桥改为直串器件的二极管桥,分布式电容器改为集总式电容器,普通避雷器改为间隙/晶闸管‑避雷器,使得用于断路器的级联半导体开关模块的总电感大大降低,解决了目前级联半导体开关大电流关断过程中由于回路杂散电感大而引起的高关断电压对电力电子器件构成高瞬态功率冲击的问题;IGBT压装结构中相邻IGBT的集电极与发射极共用IGBT共用导电板,提高了半导体开关电压利用率的同时,省去了大部分单元内部和单元与单元之间的电气连接线,减少了回路面积,从而使得级联半导体开关模块的结构更加紧凑,空间占用少,且成本降低。

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