公开(公告)号：CN114044518A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111272112.9

申请日：2021-10-29

Applicant: 华北水利水电大学

Inventor： 王莉 ,  魏加强 ,  代梦莹 ,  王仁祥 ,  马聪

IPC: C01B32/907 ,  C01B32/194 ,  C01B32/168 ,  H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M4/583 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及电极材料技术领域，尤其涉及一种Si‑O‑C材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种Si‑O‑C材料的制备方法，包括以下步骤：将有机硅修饰的碳材料、有机硅聚合物、铂基催化剂和交联剂混合，进行交联，得到硅氧碳前驱体；将所述硅氧碳前驱体进行煅烧，得到所述硅氧碳负极材料。利用本发明所述制备方法制备得到的Si‑O‑C材料具有较好的电化学循环稳定性和较高的循环比容量。