公开(公告)号：CN119774656A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411979549.X

申请日：2024-12-31

Applicant: 华北水利水电大学

Inventor： 罗世钧 ,  梁少甲 ,  郭燕 ,  许磊 ,  袁保合 ,  李军明 ,  王可 ,  陈露露 ,  贾敏 ,  姜卫粉

IPC: C01G31/02 ,  H01M4/48 ,  H01M10/36 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提出了一种金属离子插层二氧化钒及其制备方法和应用，属于水系铁离子电池的技术领域，用以解决水系铁离子电池正极材料能量密度低的技术问题。本发明金属离子插层二氧化钒的制备包括以下步骤：将五氧化二钒、还原剂和金属源分散到溶剂中得到混合溶液；将混合溶液进行反应，得到金属离子插层二氧化钒纳米片。本发明提供的合成方法为一步水热法，合成方法较为简单、环保、成本较低，所制得的材料为较为均匀的纳米片。本发明制备得到的金属离子插层二氧化钒纳米片在铁离子电池作为正极材料，在0.1A g‑1的电流密度下可提供284.32mAh g‑1，平均放电效率高达99％。