一种基于石墨烯超表面的平面波到球面波相控阵芯片

    公开(公告)号:CN113285238B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202110592811.5

    申请日:2021-05-28

    Applicant: 华侨大学

    Inventor: 马焕喜 邱伟彬

    Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯超表面的平面波到球面波相控阵芯片,包括反射型超表面相控阵;所述反射型超表面相控阵包括M×M个周期性排列的石墨烯超表面单元;所述石墨烯超表面单元包括上表面呈圆形结构的石墨烯贴片和下方介质基板;圆形结构的石墨烯贴片与下方介质基板的几何中心在一条直线上。本发明利用了石墨烯超表面单元能够使入射波的电场发生0~360°全相位调控的特性,在50THz到60THz的频率范围内,实现了平面波转化为球面波的功能,具有宽频带、平面化、单层结构的优点。

    一种基于石墨烯超表面的平面波到球面波相控阵芯片

    公开(公告)号:CN113285238A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110592811.5

    申请日:2021-05-28

    Applicant: 华侨大学

    Inventor: 马焕喜 邱伟彬

    Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯超表面的平面波到球面波相控阵芯片,包括反射型超表面相控阵;所述反射型超表面相控阵包括M×M个周期性排列的石墨烯超表面单元;所述石墨烯超表面单元包括上表面呈圆形结构的石墨烯贴片和下方介质基板;圆形结构的石墨烯贴片与下方介质基板的几何中心在一条直线上。本发明利用了石墨烯超表面单元能够使入射波的电场发生0~360°全相位调控的特性,在50THz到60THz的频率范围内,实现了平面波转化为球面波的功能,具有宽频带、平面化、单层结构的优点。

    一种基于石墨烯超表面的平面波到球面波相控阵芯片

    公开(公告)号:CN214957357U

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202121174709.5

    申请日:2021-05-28

    Applicant: 华侨大学

    Inventor: 马焕喜 邱伟彬

    Abstract: 本实用新型提供了一种基于石墨烯超表面的平面波到球面波相控阵芯片,包括反射型超表面相控阵;所述反射型超表面相控阵包括M×M个周期性排列的石墨烯超表面单元;所述石墨烯超表面单元包括上表面呈圆形结构的石墨烯贴片和下方介质基板;圆形结构的石墨烯贴片与下方介质基板的几何中心在一条直线上。本实用新型利用了石墨烯超表面单元能够使入射波的电场发生0~360°全相位调控的特性,在50THz到60THz的频率范围内,实现了平面波转化为球面波的功能,具有宽频带、平面化、单层结构的优点。

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