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公开(公告)号:CN110749954B
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN201911202534.1
申请日:2019-11-29
Applicant: 华侨大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 一种基于类狄拉克点的负折射率波导快光器件及设计方法,负折射率波导快光器件包括由设置在硅板上的多个三角晶格光子晶体组成的具有负折射率的上包层和下包层;还包括设置在所述上包层和下包层之间的以硅为介质组成的芯层;所述上包层和下包层的上边界、下边界、左边界和右边界为散射边界条件;通过控制入射光的频率,利用类狄拉克点频率附近有效介电常数以及有效磁导率与入射光频率成线性关系,使得光在芯层中具有负群速度,实现光的反向传播。本发明利用类狄拉克点附近频率可使光子晶体的有效折射率为负的特性,通过控制入射光的频率和芯层厚度,实现包层的负折射率,并使得光在芯层中具有负群速度,以及反向传播的行为。
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公开(公告)号:CN110749954A
公开(公告)日:2020-02-04
申请号:CN201911202534.1
申请日:2019-11-29
Applicant: 华侨大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 一种基于类狄拉克点的负折射率波导快光器件及设计方法,负折射率波导快光器件包括由设置在硅板上的多个三角晶格光子晶体组成的具有负折射率的上包层和下包层;还包括设置在所述上包层和下包层之间的以硅为介质组成的芯层;所述上包层和下包层的上边界、下边界、左边界和右边界为散射边界条件,入射光从所述芯层的一侧入射,从所述芯层的另一侧出射。本发明利用类狄拉克点附近频率可使光子晶体的有效折射率为负的特性,通过控制入射光的频率和芯层厚度,实现包层的负折射率,并使得光在芯层中具有负群速度,以及反向传播的行为。
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公开(公告)号:CN211426847U
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN201922107683.1
申请日:2019-11-29
Applicant: 华侨大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 一种基于类狄拉克点的负折射率波导快光器件,包括由设置在硅板上的多个三角晶格光子晶体组成的具有负折射率的上包层和下包层;还包括设置在所述上包层和下包层之间的以硅为介质组成的芯层;所述上包层和下包层的上边界、下边界、左边界和右边界为散射边界条件,入射光从所述芯层的一侧入射,从所述芯层的另一侧出射。本实用新型利用类狄拉克点附近频率可使光子晶体的有效折射率为负的特性,通过控制入射光的频率和芯层厚度,实现包层的负折射率,并使得光在芯层中具有负群速度,以及反向传播的行为。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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